Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LMV344IDG4
Quad ail-To- ail Output CMOS Operational Amplifier with Shutdown 14-SOIC -40 to 125
Технические характеристики Texas Instruments LMV344IDG4, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
1.90 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
4
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
14
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
1.00 V/μs
- Quad ail-To- ail Output CMOS Operational Amplifier with Shutdown 14-SOIC -40 to 125
- Четырехканальный низковольтный усилитель операционного усилителя R-R O / P 5.5V, 14-контактная трубка SOIC
- Операционный усилитель (ОУ) IC
- Количество усилителей: 4
- Тип операционного усилителя: маломощный
- Gain Bandwidth -3db:1MHz
- Slew Rate:1V/µs
- Мин. Напряжение питания: 2,5 В
- Максимальное напряжение питания: 5,5 В
- No. of Pins:14
- Соответствует RoHS: Да
Документы по Texas Instruments LMV344IDG4, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LMV344IDG4, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Выходной ток 75.0 mA.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 1.90 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.00 V/μs.