Наличие Intersil HIP6601BCBZ-T на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 2500 шт.
MOQ 134 шт.
Обновлено 02:48 24.02.2021
На складе 2500 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 1925 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2902 шт.
MOQ 90 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 2337 шт.
Обновлено 15:51 20.02.2021
Технические характеристики Intersil HIP6601BCBZ-T, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Количество выходов:
2
Рабочая Температура:
85.0 °C (max)
Выходной ток:
4.40 mA
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Рассеяние мощности:
800 mW (max)
Время нарастания:
50.0 ns (max)
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
12.0 V (max)
- MOSFET DRVR 0.73A 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
- Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers
- IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC
Документы по Intersil HIP6601BCBZ-T, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Intersil HIP6601BCBZ-T, сравнение характеристик.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Количество выходов 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Выходной ток 4.40 mA.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
Рассеяние мощности 800 mW (max).
Время нарастания 50.0 ns (max).
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 12.0 V (max).