Наличие Infineon IRFS3207ZPBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 100 шт.
Обновлено 22:02 01.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1600 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 80 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 18:11 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 770 шт.
Обновлено 20:17 04.02.2021
Цена по запросу.
На складе 200 шт.
Обновлено 18:59 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4457 шт.
Обновлено 06:58 03.02.2021
На складе 100 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRFS3207ZPBF, атрибуты и параметры.
Текущий рейтинг:
170 A
Gate Charge:
170 nC
Continuous Drain Current (Ids):
170 A
Входная емкость:
6.92 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRFS3207Z
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
- Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
- 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
- MOSFET, N Ch., 75V, 170A, 4.1 MOHM, 120NC QG, D2-PAK, Pb-Free
- MOSFET, N, 75V, D2-PAK
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:170A
- Drain Source Voltage Vds:75V
- On Resistance Rds(on):3.3mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт
- Transistor Case Style:D2-PAK
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Base Number:3207
- Current Id Max:170A
- Package / Case:D2-PAK
- Рассеиваемая мощность Pd: 300 мВт
- Pulse Current Idm:670A
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds Typ:75V
- Максимальное напряжение Vgs: 4 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:4V
