Наличие Vishay SI2333DS-T1-E3 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 2219 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:59 03.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 6000 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 86848 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1752 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 15333 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 3257 шт.
MOQ 18 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 86848 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3257 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1542 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 2382 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 28286 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
На складе 364 шт.
Обновлено 23:37 03.03.2021
Цена по запросу.
На складе 195 шт.
Обновлено 13:58 02.03.2021
Цена по запросу.
На складе 3013 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 450 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
На складе 3257 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
На складе 2219 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 14:45 03.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 2264 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 11:14 04.03.2021
Технические характеристики Vishay SI2333DS-T1-E3, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOT-23
Continuous Drain Current (Ids):
-4.10 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.25 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
32.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-12.0 V
- MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -12V,RDS(ON) 0.025Ohm,ID -4.1A,TO-236 (SOT-23),PD 0.75W
- Single P-Channel 12 V 0.032 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
- MOSFET, P, SOT-23
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current Id:-5.3A
- Напряжение стока Vds: -12V
- На сопротивлении Rds (вкл.): 32 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: -1 В
- Рассеиваемая мощность Pd: 1,25 Вт
- Transistor Case Style:SOT-23
- Количество контактов: 3
- Current Id Max:-4.1A
- Упаковка / ящик: SOT-23
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds Typ:-12V
- Voltage Vgs Max:-1V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V