Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Цена от 39,85 ₽ до 561,75 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTP12N60C3D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 800 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
280,10 ₽ от 50 шт.
265,20 ₽ от 100 шт.
257,26 ₽ от 250 шт.
Verical
На складе 360 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
372,15 ₽ от 5 шт.
306,59 ₽ от 10 шт.
280,65 ₽ от 100 шт.
272,16 ₽ от 250 шт.
264,65 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 550 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
266,09 ₽ от 3 шт.
Avnet
На складе 4000 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
282,85 ₽ от 800 шт.
280,77 ₽ от 1600 шт.
278,69 ₽ от 3200 шт.
276,61 ₽ от 4800 шт.
274,53 ₽ от 6400 шт.
272,45 ₽ от 8000 шт.
270,37 ₽ от 80000 шт.
Rochester Electronics
На складе 30 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
293,96 ₽ от 1 шт.
288,08 ₽ от 25 шт.
282,19 ₽ от 100 шт.
276,32 ₽ от 500 шт.
270,44 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 360 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
387,03 ₽ от 1 шт.
318,85 ₽ от 10 шт.
291,88 ₽ от 100 шт.
283,04 ₽ от 250 шт.
275,24 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 550 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
276,73 ₽ от 1 шт.
Digi-Key
На складе 3071 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
561,75 ₽ от 1 шт.
471,69 ₽ от 10 шт.
445,16 ₽ от 25 шт.
381,56 ₽ от 100 шт.
339,17 ₽ от 500 шт.
290,41 ₽ от 1000 шт.
279,97 ₽ от 2500 шт.
Mouser
На складе 386 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
406,14 ₽ от 1 шт.
345,44 ₽ от 10 шт.
345,44 ₽ от 50 шт.
294,67 ₽ от 100 шт.
284,74 ₽ от 1000 шт.
284,74 ₽ от 10000 шт.
Future Electronics
На складе 800 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 01:43 16.02.2021
Упаковка Tube
359,38 ₽ от 50 шт.
308,52 ₽ от 150 шт.
302,87 ₽ от 250 шт.
290,44 ₽ от 1000 шт.
287,05 ₽ от 1500 шт.
Future Electronics
На складе 565 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:43 16.02.2021
Упаковка Tube
359,38 ₽ от 1 шт.
323,22 ₽ от 25 шт.
309,65 ₽ от 100 шт.
300,61 ₽ от 250 шт.
287,05 ₽ от 1000 шт.
iodParts
На складе 1600 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
289,80 ₽ от 100 шт.
Verical
На складе 4000 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
293,57 ₽ от 800 шт.
Avnet
На складе 72 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
422,38 ₽ от 1 шт.
359,26 ₽ от 10 шт.
342,04 ₽ от 25 шт.
323,67 ₽ от 50 шт.
306,46 ₽ от 100 шт.
297,28 ₽ от 250 шт.
358,11 ₽ от 500 шт.
Verical
На складе 450 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
370,19 ₽ от 50 шт.
339,91 ₽ от 100 шт.
317,94 ₽ от 200 шт.
301,47 ₽ от 300 шт.
Newark
На складе 47 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
436,16 ₽ от 1 шт.
373,03 ₽ от 10 шт.
355,81 ₽ от 25 шт.
337,45 ₽ от 50 шт.
320,23 ₽ от 100 шт.
311,05 ₽ от 250 шт.
Verical
На складе 300 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
370,19 ₽ от 50 шт.
339,91 ₽ от 100 шт.
317,94 ₽ от 200 шт.
NAC Semi
На складе 955 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
397,13 ₽ от 50 шт.
370,73 ₽ от 955 шт.
Hamilton Americas
На складе 72 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 1848 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 31386 шт.
MOQ 110 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
59,02 ₽ от 110 шт.
48,74 ₽ от 265 шт.
47,21 ₽ от 405 шт.
45,82 ₽ от 555 шт.
44,29 ₽ от 720 шт.
39,85 ₽ от 960 шт.
Arrow.cn
На складе 710 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
179,92 ₽ от 1 шт.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
248,29 ₽ от 1 шт.
218,68 ₽ от 5 шт.
197,04 ₽ от 25 шт.
183,37 ₽ от 100 шт.
170,84 ₽ от 500 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTP12N60C3D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
24.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
104 W
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
  • HGTP12N60C3D Series 600 V 24 A Flange Mount UFS N-Channel IGBT-TO-220AB
  • 600V,24A,UFS SERIES NCH IGBT,W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
  • This family of MOS gated high voltage switching devices combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49123. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49188.The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential.Formerly Developmental Type TA49182.

Документы по ON Semiconductor HGTP12N60C3D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTP12N60C3D, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 252,73 ₽ до 3 735,26 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60B3
Цена от 279,85 ₽ до 1 909,44 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 165 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60C3D
Цена от 461,76 ₽ до 5 526,23 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 45.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60C3D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 164 W.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Fairchild Semiconductor HGTP12N60C3
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 24.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 104 W.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.