Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Fairchild Semiconductor
HGTP12N60C3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
Datasheet

Наличие Fairchild Semiconductor HGTP12N60C3 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Kenton Components
На складе 380 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Corohmni
На складе 125 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Fairchild Semiconductor HGTP12N60C3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
24.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
104 W
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB Rail
  • PWR IGBT UFS 12A 600V TF<275NS N-CH TO-220AB
  • IGBTs 24a, 600V N-Ch IGBT UFS Series
  • 3 LD PLASTIC W/EXPOSED HEATSNK
  • IGBT
  • Тип транзистора: IGBT
  • Полярность транзистора: NPN
  • Continuous Collector Current, Ic:24A
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.2V
  • Power Dissipation, Pd:104W
  • Package/Case:TO-220AB
  • C-E Breakdown Voltage:600V
  • Соответствует RoHS: Да

Документы по Fairchild Semiconductor HGTP12N60C3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 17.01.2002)
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)

Товары похожие на Fairchild Semiconductor HGTP12N60C3, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 252,73 ₽ до 3 735,26 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60B3
Цена от 279,85 ₽ до 1 909,44 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 165 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60C3D
Цена от 461,76 ₽ до 5 526,23 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 45.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP12N60C3D
Цена от 39,85 ₽ до 561,75 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 24.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -40.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 104 W.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60C3D
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность NPN.
Рассеяние мощности 164 W.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.