Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D; IGBT Transistor N-channel; 63 A 600 V; 3- Pin TO-247

Цена от 461,76 ₽ до 5 526,23 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG30N60C3D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 416 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
461,76 ₽ от 2 шт.
Arrow Electronics
На складе 416 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
480,23 ₽ от 1 шт.
Avnet
На складе 2250 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
747,16 ₽ от 450 шт.
736,63 ₽ от 900 шт.
715,59 ₽ от 1800 шт.
699,80 ₽ от 2700 шт.
673,49 ₽ от 3600 шт.
657,71 ₽ от 4500 шт.
641,92 ₽ от 45000 шт.
Verical
На складе 406 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
673,11 ₽ от 1 шт.
Rochester Electronics
На складе 9501 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
743,68 ₽ от 1 шт.
728,81 ₽ от 25 шт.
713,94 ₽ от 100 шт.
699,07 ₽ от 500 шт.
684,19 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 406 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
700,03 ₽ от 1 шт.
Digi-Key
На складе 617 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
1 276,91 ₽ от 1 шт.
1 094,04 ₽ от 10 шт.
1 018,92 ₽ от 25 шт.
911,68 ₽ от 100 шт.
804,43 ₽ от 500 шт.
723,98 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 2250 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
788,88 ₽ от 450 шт.
Verical
На складе 1344 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
788,88 ₽ от 2 шт.
Avnet
На складе 430 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
813,78 ₽ от 1 шт.
Arrow Electronics
На складе 1344 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
820,43 ₽ от 1 шт.
Newark
На складе 430 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
852,80 ₽ от 1 шт.
NAC Semi
На складе 270 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
1 054,81 ₽ от 30 шт.
981,35 ₽ от 270 шт.
Classic Components
На складе 185 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 677 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
776,77 ₽ от 1 шт.
685,65 ₽ от 3 шт.
616,17 ₽ от 10 шт.
575,17 ₽ от 30 шт.
Farnell
На складе 761 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
5 526,23 ₽ от 1 шт.
4 919,95 ₽ от 5 шт.
4 425,16 ₽ от 10 шт.
4 020,98 ₽ от 50 шт.
3 846,76 ₽ от 100 шт.
3 679,51 ₽ от 250 шт.
Avnet Europe
На складе 530 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
Цена по запросу.
ComS.I.T. Europe - USA - Asia
На складе 2270 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
element14 APAC
На складе 761 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
1 398,80 ₽ от 1 шт.
1 264,67 ₽ от 10 шт.
1 205,27 ₽ от 25 шт.
1 000,24 ₽ от 100 шт.
882,39 ₽ от 500 шт.
794,25 ₽ от 1000 шт.
Arrow.cn
На складе 1344 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
867,20 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG30N60C3D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
30.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
208 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
45.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • HGTG30N60C3D
  • IGBT Transistor N-channel
  • 63 A 600 V
  • 3- Pin TO-247
  • 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
  • IGBT,N CH,600V,30A,TO-247
  • DC Collector Current:63A
  • Collector Emitter Voltage Vces:1.8V
  • Power Dissipation Max:208W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • IGBT
  • Тип транзистора: IGBT
  • Полярность транзистора: NPN
  • Continuous Collector Current, Ic:63A
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2V
  • Power Dissipation, Pd:208W
  • Package/Case:TO-247
  • C-E Breakdown Voltage:600V
  • Соответствует RoHS: Да
  • The HGTG30N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49051. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053.The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential.Formerly Developmental Type TA49014.

Документы по ON Semiconductor HGTG30N60C3D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 09.04.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)