Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG20N60B3

Одиночный транзистор Igbt, 40 А, 2 В, 165 Вт, 600 В, To-247, соответствие 3 Rohs: Да

Цена от 279,85 ₽ до 1 909,44 ₽

Наличие ON Semiconductor HGTG20N60B3 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 407 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
279,85 ₽ от 3 шт.
Arrow Electronics
На складе 407 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
291,04 ₽ от 1 шт.
Verical
На складе 432 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
328,77 ₽ от 17 шт.
Avnet
На складе 3920 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
368,92 ₽ от 30 шт.
366,21 ₽ от 40 шт.
363,50 ₽ от 70 шт.
360,78 ₽ от 150 шт.
358,07 ₽ от 300 шт.
355,36 ₽ от 1500 шт.
352,65 ₽ от 3000 шт.
Rochester Electronics
На складе 237 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
383,41 ₽ от 1 шт.
375,74 ₽ от 25 шт.
368,07 ₽ от 100 шт.
360,40 ₽ от 500 шт.
352,74 ₽ от 1000 шт.
Newark
На складе 177 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
353,52 ₽ от 1 шт.
iodParts
На складе 1800 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
379,61 ₽ от 101 шт.
Digi-Key
На складе 370 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
590,45 ₽ от 1 шт.
496,08 ₽ от 10 шт.
468,21 ₽ от 25 шт.
401,32 ₽ от 100 шт.
Touchstone Systems
На складе 9000 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
One Stop Electro
На складе 677 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Andel Nordic
На складе 713 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 3933 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 416 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 6098 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
Farnell
На складе 219 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
1 909,44 ₽ от 1 шт.
1 874,60 ₽ от 10 шт.
1 839,75 ₽ от 100 шт.
1 797,94 ₽ от 500 шт.
1 540,10 ₽ от 1000 шт.
element14 APAC
На складе 176 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
689,82 ₽ от 1 шт.
619,88 ₽ от 10 шт.
586,35 ₽ от 25 шт.
469,46 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG20N60B3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
40.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN
Рассеяние мощности:
165 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Одиночный транзистор Igbt, 40 А, 2 В, 165 Вт, 600 В, To-247, соответствие 3 Rohs: Да
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT,N CH,600V,40A,TO-247
  • DC Collector Current:40A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2V
  • Power Dissipation Max:165W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • The HGTG20N60B3 is a Generation III MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower onstate voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.

Документы по ON Semiconductor HGTG20N60B3, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG20N60B3, сравнение характеристик.