Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 206,62 ₽ до 2 648,13 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG20N60B3D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
TME
На складе 60 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
373,58 ₽ от 1 шт.
337,13 ₽ от 3 шт.
308,66 ₽ от 10 шт.
Distrelec
На складе 60 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:05 16.02.2021
773,53 ₽ от 1 шт.
643,91 ₽ от 5 шт.
614,64 ₽ от 25 шт.
533,81 ₽ от 100 шт.
466,91 ₽ от 250 шт.
Farnell
На складе 2642 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
2 648,13 ₽ от 1 шт.
2 000,03 ₽ от 10 шт.
1 505,25 ₽ от 100 шт.
1 421,63 ₽ от 500 шт.
1 275,28 ₽ от 1000 шт.
Digi-Key
На складе 875 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
454,70 ₽ от 1 шт.
381,97 ₽ от 10 шт.
360,54 ₽ от 25 шт.
309,04 ₽ от 100 шт.
274,70 ₽ от 500 шт.
235,21 ₽ от 1000 шт.
226,76 ₽ от 2500 шт.
Mouser
На складе 423 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
407,24 ₽ от 1 шт.
323,37 ₽ от 10 шт.
323,37 ₽ от 50 шт.
277,01 ₽ от 100 шт.
230,66 ₽ от 1000 шт.
230,66 ₽ от 10000 шт.
Newark
На складе 397 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
436,16 ₽ от 1 шт.
373,03 ₽ от 10 шт.
348,93 ₽ от 25 шт.
324,82 ₽ от 50 шт.
300,72 ₽ от 100 шт.
284,65 ₽ от 250 шт.
Touchstone Systems
На складе 250 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 347 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 508 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 100 шт.
MOQ 21 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
306,13 ₽ от 21 шт.
252,57 ₽ от 55 шт.
244,83 ₽ от 80 шт.
237,21 ₽ от 110 шт.
229,60 ₽ от 140 шт.
206,62 ₽ от 185 шт.
element14 APAC
На складе 1987 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
537,48 ₽ от 1 шт.
457,00 ₽ от 10 шт.
365,03 ₽ от 100 шт.
343,95 ₽ от 250 шт.
324,79 ₽ от 500 шт.
291,26 ₽ от 1000 шт.
Chip One Stop Global
На складе 60 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:21 16.02.2021
781,77 ₽ от 1 шт.
683,90 ₽ от 10 шт.
535,13 ₽ от 50 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG20N60B3D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
20.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
165 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
220 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT Housing type: TO-247 Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 175 ns Power dissipation: 165 W
  • IGBT, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:40A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2V
  • Power Dissipation Pd:165W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max:40A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:HGTG20N60B3D
  • Fall Time tf:200ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Pin Configuration:With flywheel diode
  • Power Dissipation Max:165W
  • Power Dissipation Pd:165W
  • Power Dissipation Pd:165W
  • Pulsed Current Icm:160A
  • Rise Time:20ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • The HGTG20N60B3D is a Generation III MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower onstate voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.

Документы по ON Semiconductor HGTG20N60B3D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 09.04.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)