Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IRGB20B60PD1PBF

IRGB20B60PD1PBF Series 600 V 22 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB, TO220COPAK-3, RoHS
Datasheet

Наличие Infineon IRGB20B60PD1PBF на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
One Stop Electro
На складе 795 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 31 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRGB20B60PD1PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
40.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Bag
Part Family:
IRGB20B60PD1
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
215 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
5.00 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • IRGB20B60PD1PBF Series 600 V 22 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB, TO220COPAK-3, RoHS
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
  • IGBT, 600V, 40A, TO-220AB
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:40A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.35V
  • Power Dissipation Pd:215W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:40A
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Max:215W
  • Power Dissipation Pd:215W
  • Power Dissipation Pd:215W
  • Pulsed Current Icm:80A
  • Время нарастания: 5 нс
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по Infineon IRGB20B60PD1PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(11 страниц, 18.08.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)