ON Semiconductor
FDS9934C
Двойной N и P-канал 20 В, 30 мОм PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
Цена от 32,84 ₽ до 107,49 ₽
Наличие ON Semiconductor FDS9934C на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 40425 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 32,84 ₽ до 102,15 ₽
На складе 806 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
На складе 2647 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1700 шт.
MOQ 23 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 1700 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
На складе 1234 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 67 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
На складе 63 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
На складе 371 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 320 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
На складе 37500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1884 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 40425 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 20328 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 47500 шт.
MOQ от 10 шт.
Цена от 33,31 ₽ до 100,55 ₽
На складе 47500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
На складе 2530 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 140 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 45,16 ₽ до 107,49 ₽
На складе 1700 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 3646 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDS9934C, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-20.0 V to 20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-10.0 V to 10.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-5.00 A
Gate Charge:
8.70 nC
Continuous Drain Current (Ids):
6.50 A
Входная емкость:
955 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
25.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
9.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
- Двойной N и P-канал 20 В, 30 мОм PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
- Trans MOSFET N / P-CH 20V 6.5A / 5A 8-контактный SOIC N T / R
- МОП-транзистор, N&P CH 8SOIC
- Полярность транзистора: канал N и P
- Id постоянного тока утечки: 6.5A
- Напряжение источника стока Vds: 20 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 30 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
- Пороговое напряжение Vgs Тип: 1 В
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Тип корпуса транзистора: SOIC
- Количество контактов: 8
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:6.5A
- Упаковка / ящик: SOIC
- Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
- Тип завершения: SMD
- Напряжение Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max:1V
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 4,5 В
- These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance.These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.