Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

STMicroelectronics
STB200NF03T4

N-channel 30V - 0.0032 Ohm - 120A D2PAK Stripfet II Power Mosfet

Цена от 137,25 ₽ до 152,31 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STB200NF03T4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
152,31 ₽ от 1000 шт.
148,41 ₽ от 2000 шт.
146,17 ₽ от 4000 шт.
143,94 ₽ от 6000 шт.
142,27 ₽ от 8000 шт.
139,48 ₽ от 10000 шт.
137,25 ₽ от 100000 шт.
Touchstone Systems
На складе 1000 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
Kenton Components
На складе 120 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики STMicroelectronics STB200NF03T4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Текущий рейтинг:
120 A
Continuous Drain Current (Ids):
60.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.60 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • N-CHANNEL 30V - 0.0032 OHM - 120A D2PAK STripFET II POWER MOSFET
  • Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • MOSFET, N CH, 30V, 120A, D2PAK
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Id постоянного тока стока: 60A
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on):3.2mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Transistor Case Style:D2-PAK
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Id Max:120A
  • Package / Case:D2-PAK
  • Power Dissipation Pd:300W
  • Тип завершения: SMD
  • Тип транзистора: силовой MOSFET
  • Напряжение Vds Typ: 30 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по STMicroelectronics STB200NF03T4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(18 страниц, 20.02.2007)