Наличие IXYS IXFN180N10 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 386 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20 361,38 ₽ до 27 543,62 ₽
На складе 386 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
В наличии до 614 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 3 025,52 ₽ до 4 671,97 ₽
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 12 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube На складе 614 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 669 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 669 шт.
Обновлено 00:57 23.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики IXYS IXFN180N10, атрибуты и параметры.
Continuous Drain Current (Ids):
180 A
Напряжение изоляции:
2.50 kV
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Chassis, Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Количество выводов:
4
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
600 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Вес:
42.0 g
- Single N-Channel 100 Vds 8 mOhm 600 W Power Mosfet - SOT-227B
- Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 4-Pin SOT-227B
- N Channel Mosfet, 100V, 180A, Sot-227B
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение источника стока Vds: 100 В
- Continuous Drain Current Id:180A
- On Resistance Rds(On):0.008Ohm
- Transistor Mounting:module
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
- Msl: - Соответствие RoHS: Да