ON Semiconductor
RHRG5060
RHRG5060 50 A 600 V 45 ns Through Hole Hyperfast Diode - TO-247-2
Цена от 128,72 ₽ до 2 454,89 ₽
Наличие ON Semiconductor RHRG5060 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 202 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
На складе 202 шт.
MOQ 45 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 769 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 1339 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 202 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 84150 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
На складе 799 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4050 шт.
Обновлено 14:32 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 120 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 8 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 87 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 1064 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 324 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
На складе 240 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:18 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 41 шт.
Обновлено 10:59 24.02.2021
Цена по запросу.
На складе 810 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 321 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
На складе 326 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor RHRG5060, атрибуты и параметры.
Емкость:
140 pF
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
50.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
175 °C (max)
Выходной ток:
50.0 A (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
2
Полярность:
Standard
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- RHRG5060 50 A 600 V 45 ns Through Hole Hyperfast Diode - TO-247-2
- Diode Switching 600V 50A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Rail
- RECTIFIER, FAST, 50A, 600V, TO-247AB
- PWR HFST RECT 50A 600V TRR<50NS TO-247
- Fairchild Semiconductor power module
- The RHRG5060 is a hyperfast diode with soft recovery characteristics. It has the half recovery time of ultrafast diodes and is silicon nitride passivated ionimplanted epitaxial planar construction. These devices are intended to be used as freewheeling/ clamping diodes and diodes in a variety of switching power supplies and other power switching applications. Their low stored charge and hyperfast soft recovery minimize ringing and electrical noise in many power switching circuits reducing power loss in the switching transistors.