STMicroelectronics
STP80NF12
N-channel 120V-0.013 OHM-80A TO-220 Stripfet II Mosfet
Цена от 108,38 ₽ до 2 099,87 ₽
Наличие STMicroelectronics STP80NF12 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 116 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:08 19.01.2021
На складе 2155 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:50 12.01.2021
На складе 55 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:50 12.01.2021
На складе 1126 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:30 19.01.2021
На складе 249 шт.
Обновлено 14:41 19.01.2021
Цена по запросу.
На складе 950 шт.
Обновлено 01:46 12.01.2021
Цена по запросу.
На складе 636 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:09 18.01.2021
Упаковка Tube На складе 1103 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:09 18.01.2021
Упаковка Tube На складе 800 шт.
Обновлено 11:32 19.01.2021
На складе 1059 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:59 19.01.2021
На складе 24 шт.
Обновлено 11:17 19.01.2021
На складе 400 шт.
Обновлено 01:59 18.01.2021
Цена по запросу.
На складе 150 шт.
Обновлено 10:23 24.12.2020
Цена по запросу.
На складе 39 шт.
Обновлено 15:59 18.01.2021
Цена по запросу.
На складе 24000 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 09:10 18.01.2021
На складе 1059 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:48 19.01.2021
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:39 18.01.2021
На складе 12888 шт.
Обновлено 13:20 15.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики STMicroelectronics STP80NF12, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
120 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
80.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
80.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
18.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
120 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
120 V
- N-CHANNEL 120V-0.013 OHM-80A TO-220 STripFET II MOSFET
- Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
- N-Channel 120 V 18 mO 140 nC Flange Mount STripFET II Power Mosfet - TO-220
- Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение истока стока Vds: 120 В
- Идентификатор постоянного тока утечки: 80A
- На сопротивлении Rds (On): 0,013 Ом
- Монтаж транзистора: через отверстие
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
- Пороговое напряжение Vgs: 2 В
- Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Да