ON Semiconductor
NTE4153NT1G
Single N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 20V, 915mA, 230mΩ
Цена от 5,08 ₽ до 396,93 ₽
Наличие ON Semiconductor NTE4153NT1G на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 7300 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 258 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 600 шт.
Обновлено 17:17 27.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3000 шт.
MOQ 9000 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 300000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 54045 шт.
MOQ 135 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 54045 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 1800 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 226420 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 302630 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 18 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 258 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.) На складе 2890 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 2890 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 494 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 3150 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9000 шт.
Обновлено 18:45 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 57013 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 5366 шт.
MOQ 510 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 258 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 303000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor NTE4153NT1G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-6.00 V to 6.00 V
Тип корпуса / Кейс:
SOT-89
Текущий рейтинг:
915 mA
Continuous Drain Current (Ids):
915 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
300 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
500 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
- Single N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 20V, 915mA, 230mΩ
- MOSFET,N-Ch,VDSS 26V,RDS(ON) 127 Milliohms,ID 915mA,SC-89,PD 300W,VGS +/-6V
- Single N-Channel 20 V 950 mOhm 1.82 nC 300 mW Silicon SMT Mosfet - SC-89-3
- N CHANNEL MOSFET, 20V, 915MA, SC-89
- TRA
- N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-89
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:915mA
- Напряжение источника стока Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on):230mohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
- Threshold Voltage Vgs:760mV
Документы по ON Semiconductor NTE4153NT1G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor NTE4153NT1G, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -6.00 V to 6.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-416.
Текущий рейтинг 915 mA.
Continuous Drain Current (Ids) 915 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 500 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.