Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SIS412DN-T1-GE3

SiS412DN Series N-Channel 30 V 24 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8

Цена от 17,63 ₽ до 398,39 ₽
Datasheet

Наличие Vishay SIS412DN-T1-GE3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 5803 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 62,12 ₽ до 398,39 ₽
Британия
На складе 2020 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
62,12 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 5803 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
398,39 ₽ от 1 шт.
286,17 ₽ от 10 шт.
217,43 ₽ от 100 шт.
180,96 ₽ от 500 шт.
158,51 ₽ от 1000 шт.
154,31 ₽ от 5000 шт.
Европейский союз
На складе 650 шт.
Обновлено 00:38 23.02.2021
Цена по запросу.
Америка 15
В наличии до 24000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 22,30 ₽ до 80,52 ₽
США
На складе 24000 шт.
Обновлено 09:25 23.02.2021
24,84 ₽ от 3000 шт.
23,57 ₽ от 6000 шт.
22,99 ₽ от 9000 шт.
22,30 ₽ от 12000 шт.
США
На складе 5491 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
62,20 ₽ от 1 шт.
50,43 ₽ от 10 шт.
50,43 ₽ от 50 шт.
37,32 ₽ от 100 шт.
26,66 ₽ от 1000 шт.
23,88 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 342 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
51,98 ₽ от 1 шт.
43,32 ₽ от 12 шт.
34,66 ₽ от 54 шт.
24,26 ₽ от 201 шт.
США
На складе 1931 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
54,18 ₽ от 1 шт.
48,76 ₽ от 10 шт.
48,28 ₽ от 25 шт.
37,30 ₽ от 100 шт.
36,00 ₽ от 250 шт.
31,80 ₽ от 500 шт.
27,40 ₽ от 1000 шт.
24,68 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel
26,12 ₽ от 3000 шт.
24,74 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 15000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
28,80 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
68,87 ₽ от 1 шт.
59,54 ₽ от 10 шт.
56,83 ₽ от 25 шт.
41,23 ₽ от 100 шт.
34,46 ₽ от 500 шт.
29,32 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 293 шт.
MOQ 70 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
34,98 ₽ от 70 шт.
33,85 ₽ от 100 шт.
33,70 ₽ от 200 шт.
США
На складе 4516 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
80,52 ₽ от 1 шт.
65,39 ₽ от 10 шт.
60,65 ₽ от 25 шт.
55,80 ₽ от 50 шт.
51,06 ₽ от 100 шт.
43,09 ₽ от 500 шт.
35,58 ₽ от 1000 шт.
Канада
На складе 2800 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:44 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
62,56 ₽ от 1 шт.
47,20 ₽ от 50 шт.
44,93 ₽ от 100 шт.
39,81 ₽ от 500 шт.
36,40 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 1931 шт.
MOQ 31 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
52,10 ₽ от 31 шт.
США
На складе 1512 шт.
MOQ 241 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
68,49 ₽ от 241 шт.
63,92 ₽ от 1512 шт.
США
На складе 835 шт.
Обновлено 23:05 18.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2375 шт.
Обновлено 16:14 17.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2156 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Азия 6
В наличии до 174429 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 17,63 ₽ до 82,55 ₽
Китай
На складе 18000 шт.
MOQ 6000 шт.
Обновлено 10:26 23.02.2021
17,63 ₽ от 6000 шт.
17,63 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 174429 шт.
MOQ 230 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
28,10 ₽ от 230 шт.
23,25 ₽ от 550 шт.
22,48 ₽ от 855 шт.
21,84 ₽ от 1170 шт.
21,08 ₽ от 1520 шт.
19,03 ₽ от 2015 шт.
Китай
На складе 15999 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
35,93 ₽ от 1 шт.
27,03 ₽ от 10 шт.
25,40 ₽ от 30 шт.
23,76 ₽ от 100 шт.
23,03 ₽ от 500 шт.
22,68 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 1971 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
60,81 ₽ от 1 шт.
48,49 ₽ от 10 шт.
53,44 ₽ от 25 шт.
41,29 ₽ от 100 шт.
39,84 ₽ от 250 шт.
35,21 ₽ от 500 шт.
30,33 ₽ от 1000 шт.
27,25 ₽ от 3000 шт.
Япония
На складе 293 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
37,52 ₽ от 5 шт.
32,16 ₽ от 50 шт.
31,09 ₽ от 100 шт.
30,91 ₽ от 200 шт.
Сингапур
На складе 4516 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
82,55 ₽ от 1 шт.
66,89 ₽ от 10 шт.
49,49 ₽ от 100 шт.
41,56 ₽ от 500 шт.
35,38 ₽ от 1000 шт.
34,51 ₽ от 3000 шт.

Технические характеристики Vishay SIS412DN-T1-GE3, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
15.6 W
RoHS:
Compliant
  • SiS412DN Series N-Channel 30 V 24 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 40 В
  • Id постоянного тока стока: 12A
  • On Resistance Rds(On):0.02Ohm
  • Transistor Mounting:surface Mount
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Пороговое напряжение Vgs: 1 В
  • No. Of Pins:8Pinsrohs Compliant: No
  • MOSFET, N-CH, 30V, 12A, POWERPAK8
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Id постоянного тока стока: 12A
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 20 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Power Dissipation Pd:15.6W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:PowerPAK 1212
  • Количество контактов: 8
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Максимальный ток Id: 12A
  • Power Dissipation Pd:15.6W
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В

Документы по Vishay SIS412DN-T1-GE3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 25.09.2009)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)