Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
SI4420DYTRPBF

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses

Цена от 34,66 ₽ до 700,16 ₽
Datasheet

Наличие Infineon SI4420DYTRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 5
В наличии до 4125 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 34,66 ₽ до 700,16 ₽
США
На складе 4125 шт.
Обновлено 11:23 27.02.2021
94,52 ₽ от 1 шт.
78,77 ₽ от 7 шт.
56,71 ₽ от 23 шт.
44,11 ₽ от 104 шт.
39,38 ₽ от 530 шт.
34,66 ₽ от 2371 шт.
США
На складе 132 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:56 26.02.2021
Упаковка Tape & Reel
154,84 ₽ от 1 шт.
131,28 ₽ от 10 шт.
131,28 ₽ от 50 шт.
97,39 ₽ от 100 шт.
67,88 ₽ от 1000 шт.
66,87 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 31 шт.
Обновлено 11:23 27.02.2021
154,33 ₽ от 1 шт.
141,98 ₽ от 5 шт.
123,46 ₽ от 22 шт.
США
На складе 45 шт.
Обновлено 11:23 27.02.2021
700,16 ₽ от 1 шт.
583,47 ₽ от 3 шт.
513,45 ₽ от 6 шт.
466,78 ₽ от 18 шт.
США
На складе 44 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 11680 шт.
MOQ от 100 шт.
Китай
На складе 11680 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 665 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 665 шт.
Обновлено 15:46 25.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon SI4420DYTRPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
12.5 A
Continuous Drain Current (Ids):
12.5 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Cut Tape (CT), Bulk
Part Family:
SI4420DY
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W
Время нарастания:
10.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Низкие коммутационные потери
  • Низкие потери проводимости
  • Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC Tube
  • Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Документы по Infineon SI4420DYTRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 11.08.2004)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)