ON Semiconductor
FDS6680
Trans Mosfet N-ch 30V 11.5A 8-PIN SOIC T/r
Цена от 34,84 ₽ до 423,29 ₽
Наличие ON Semiconductor FDS6680 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 58328 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 34,84 ₽ до 108,83 ₽
На складе 5591 шт.
Обновлено 11:20 01.03.2021
На складе 58328 шт.
MOQ 378 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
На складе 58328 шт.
Обновлено 10:11 01.03.2021
На складе 104 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.
На складе 22 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
На складе 15 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 4492 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 48,57 ₽ до 423,29 ₽
На складе 4492 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:21 25.02.2021
На складе 2380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:21 25.02.2021
На складе 29 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:21 25.02.2021
В наличии до 18214 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 18214 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDS6680, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
11.5 A
Gate Charge:
19.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
11.5 A
Входная емкость:
2.07 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
10.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
10.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
- МОП-транзистор, N, SO-8
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:11.5A
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 10 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,7 В
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Тип корпуса транзистора: SOIC
- Количество контактов: 8
- SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Current Id Max:11.5A
- Упаковка / ящик: SOIC
- Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт
- Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт
- Импульсный ток Idm: 50A
- SMD Marking:FDS 6680
- Тип завершения: SMD
- Напряжение Vds: 30 В
- Напряжение Vds Typ: 30 В
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Min:3V
- These N Channel Logic Level MOSFET have been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. The MOSFET feature faster switching and lower gate charge than other MOSFET with comparable RDS(on) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.