Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF7831TRPBF

MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 2.35 V

Цена от 43,23 ₽ до 641,73 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF7831TRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 3118 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 237,88 ₽ до 641,73 ₽
Британия
На складе 1076 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
641,73 ₽ от 1 шт.
477,15 ₽ от 10 шт.
354,06 ₽ от 100 шт.
304,27 ₽ от 500 шт.
243,41 ₽ от 1000 шт.
237,88 ₽ от 5000 шт.
Германия
На складе 3118 шт.
Обновлено 14:32 04.03.2021
Цена по запросу.
Америка 13
В наличии до 32000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 43,23 ₽ до 229,86 ₽
США
На складе 32000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
43,23 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 3233 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
82,21 ₽ от 19 шт.
79,24 ₽ от 25 шт.
61,93 ₽ от 100 шт.
61,69 ₽ от 250 шт.
55,38 ₽ от 500 шт.
45,85 ₽ от 1000 шт.
45,39 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 5826 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
106,09 ₽ от 1 шт.
90,28 ₽ от 10 шт.
90,28 ₽ от 50 шт.
67,08 ₽ от 100 шт.
46,74 ₽ от 1000 шт.
46,08 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 3233 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
98,50 ₽ от 1 шт.
85,49 ₽ от 10 шт.
82,41 ₽ от 25 шт.
64,41 ₽ от 100 шт.
64,15 ₽ от 250 шт.
57,59 ₽ от 500 шт.
47,68 ₽ от 1000 шт.
47,20 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 3831 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
117,14 ₽ от 1 шт.
95,70 ₽ от 10 шт.
93,93 ₽ от 25 шт.
74,44 ₽ от 100 шт.
63,10 ₽ от 500 шт.
51,40 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 228 шт.
Обновлено 19:02 04.03.2021
88,97 ₽ от 1 шт.
70,77 ₽ от 48 шт.
66,73 ₽ от 96 шт.
62,01 ₽ от 144 шт.
55,27 ₽ от 192 шт.
США
На складе 362 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
110,33 ₽ от 1 шт.
93,90 ₽ от 10 шт.
85,85 ₽ от 25 шт.
77,81 ₽ от 50 шт.
69,76 ₽ от 100 шт.
США
На складе 384 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
229,86 ₽ от 1 шт.
183,88 ₽ от 4 шт.
137,91 ₽ от 14 шт.
114,93 ₽ от 51 шт.
91,94 ₽ от 201 шт.
США
На складе 505 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 262 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 95 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 107 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 635 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 6
В наличии до 22752 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 48,04 ₽ до 190,63 ₽
Китай
На складе 4000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 11:14 04.03.2021
48,04 ₽ от 4000 шт.
48,04 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 3233 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
105,85 ₽ от 1 шт.
92,29 ₽ от 10 шт.
90,65 ₽ от 25 шт.
69,21 ₽ от 100 шт.
68,83 ₽ от 250 шт.
61,89 ₽ от 500 шт.
51,24 ₽ от 1000 шт.
48,10 ₽ от 3000 шт.
Китай
На складе 22752 шт.
MOQ 85 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
76,38 ₽ от 85 шт.
63,03 ₽ от 205 шт.
61,13 ₽ от 315 шт.
59,22 ₽ от 430 шт.
57,31 ₽ от 555 шт.
51,60 ₽ от 740 шт.
Китай
На складе 2621 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
88,27 ₽ от 1 шт.
64,88 ₽ от 10 шт.
60,70 ₽ от 30 шт.
56,52 ₽ от 100 шт.
54,45 ₽ от 500 шт.
53,52 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 362 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
116,44 ₽ от 5 шт.
86,56 ₽ от 100 шт.
74,25 ₽ от 500 шт.
60,32 ₽ от 1000 шт.
59,46 ₽ от 4000 шт.
Китай
На складе 5 шт.
Обновлено 11:28 26.02.2021
190,63 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики Infineon IRF7831TRPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V (min)
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
21.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
21.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF7831
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
3.10 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
10.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 2.35 V
  • Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
  • MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 3.1 Milliohms,ID 21A,SO-8,PD 2.5W,VGS +/-12V
  • Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC Tube
  • Преимущества: соответствие требованиям RoHS
  • Лучшее в отрасли качество
  • Низкое RDS (ВКЛ) при 4,5 В VGS
  • Полностью охарактеризованные лавинное напряжение и ток
  • Сверхнизкое сопротивление затвора

Документы по Infineon IRF7831TRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 30.06.2005)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)