ON Semiconductor
FDMA1025P
PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.1A, 155mΩ
Цена от 26,25 ₽ до 78,87 ₽
Наличие ON Semiconductor FDMA1025P на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 65860 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 26,25 ₽ до 78,87 ₽
На складе 48000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 2992 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 65860 шт.
MOQ 1254 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 65860 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 2943 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 6000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 2907 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDMA1025P, атрибуты и параметры.
Текущий рейтинг:
-3.10 A
Gate Charge:
4.80 nC
Continuous Drain Current (Ids):
-3.10 A
Входная емкость:
450 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, Dual P-Channel
Рассеяние мощности:
1.40 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
105 mΩ
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
- PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.1A, 155mΩ
- Power Field-Effect Transistor, 3.1A, 20V, 0.22ohm, 2-Element, P-Channel, MOSFET
- Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
- MOSFET, DUAL, P, SMD, MLP
- Transistor type:PowerTrench
- Voltage, Vds typ:-20V
- Current, Id cont:3.1A
- Resistance, Rds on:0.155ohm
- Voltage, Vgs Rds on measurement:-4.5V
- Voltage, Vgs th typ:-0.9V
- Case style:MicroFET
- Current, Idm RoHS Compliant: Yes
- This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra - portable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and well suited to linear mode applications.
- MOSFET, DUAL, P, SMD, MLP
- Конфигурация модуля: двойной
- Transistor Polarity:P Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 3,1 А
- Напряжение источника стока Vds: 20 В
- On State Resistance:155mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ:-900mV
- Рассеиваемая мощность Pd: 1,4 Вт
- Transistor Case Style:MicroFET
- Количество контактов: 6
- SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Current Id Max:-3.1A
- Package / Case:MicroFET
- Тип завершения: SMD
- Transistor Type:Trench
- Импульсный ток Idm: 6A
- SMD Marking:025
- Voltage Vds Typ:-20V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
- Voltage Vgs th Max:-1.5V