Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDD6690A

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 46A, 12mΩ

Цена от 22,61 ₽ до 778,54 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDD6690A на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 10
В наличии до 54019 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 39,17 ₽ до 135,52 ₽
США
На складе 2245 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
106,85 ₽ от 1 шт.
89,04 ₽ от 6 шт.
64,10 ₽ от 20 шт.
49,86 ₽ от 91 шт.
44,52 ₽ от 464 шт.
39,17 ₽ от 2077 шт.
США
На складе 3225 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
44,59 ₽ от 5 шт.
44,59 ₽ от 10 шт.
44,59 ₽ от 100 шт.
США
На складе 4448 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
122,19 ₽ от 1 шт.
104,30 ₽ от 10 шт.
104,30 ₽ от 50 шт.
78,20 ₽ от 100 шт.
53,98 ₽ от 1000 шт.
46,21 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 25000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
54,46 ₽ от 2500 шт.
50,83 ₽ от 25000 шт.
США
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel
55,96 ₽ от 2500 шт.
54,04 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 4628 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
135,52 ₽ от 1 шт.
110,63 ₽ от 10 шт.
108,63 ₽ от 25 шт.
86,09 ₽ от 100 шт.
72,97 ₽ от 500 шт.
59,44 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 54019 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
71,45 ₽ от 1 шт.
70,02 ₽ от 25 шт.
68,60 ₽ от 100 шт.
67,16 ₽ от 500 шт.
65,73 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2500 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
66,90 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2248 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 23100 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 4720 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 63,05 ₽ до 778,54 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
96,29 ₽ от 1 шт.
85,97 ₽ от 5 шт.
75,66 ₽ от 25 шт.
68,78 ₽ от 100 шт.
63,05 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 4720 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
107,91 ₽ от 10 шт.
Британия
На складе 3219 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
778,54 ₽ от 5 шт.
586,36 ₽ от 10 шт.
426,45 ₽ от 100 шт.
304,40 ₽ от 500 шт.
298,79 ₽ от 2500 шт.
287,57 ₽ от 5000 шт.
276,35 ₽ от 7500 шт.
Азия 4
В наличии до 29615 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 22,61 ₽ до 185,60 ₽
Китай
На складе 29615 шт.
MOQ 195 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
33,34 ₽ от 195 шт.
27,59 ₽ от 465 шт.
26,70 ₽ от 720 шт.
25,93 ₽ от 990 шт.
25,04 ₽ от 1280 шт.
22,61 ₽ от 1695 шт.
Сингапур
На складе 3219 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
162,38 ₽ от 1 шт.
138,22 ₽ от 10 шт.
103,42 ₽ от 100 шт.
100,52 ₽ от 250 шт.
88,05 ₽ от 500 шт.
71,62 ₽ от 1000 шт.
70,56 ₽ от 2500 шт.
64,18 ₽ от 5000 шт.
Китай
На складе 769 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 08:52 23.02.2021
118,03 ₽ от 1 шт.
Китай
На складе 14 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
185,60 ₽ от 1 шт.
180,51 ₽ от 10 шт.
177,29 ₽ от 30 шт.
173,81 ₽ от 100 шт.
173,81 ₽ от 500 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDD6690A, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Текущий рейтинг:
46.0 A
Gate Charge:
13.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
46.0 A
Входная емкость:
1.23 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
56.0 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
12.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
7.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 46A, 12mΩ
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Continuous Drain Current, Id:46A
  • On Resistance, Rds(on):12mohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Package/Case:TO-252
  • Соответствует RoHS: Да
  • This N-Channel Logic level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
  • МОП-транзистор, N, D-PAK
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 46A
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on):12.5mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,9 В
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Тип корпуса транзистора: D-PAK
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Альтернативный тип корпуса: D-PAK
  • Current Id Max:46A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Package / Case:DPAK
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Pulse Current Idm:100A
  • SMD Marking:FDD6690A
  • Тип завершения: SMD
  • Напряжение Vds: 30 В
  • Напряжение Vds Typ: 30 В
  • Максимальное напряжение Vgs: 1,9 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по ON Semiconductor FDD6690A, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 27.08.2003)
Заявление Rohs
(3 страницы, 03.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)