Наличие Infineon IRF4905LPBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 800 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:29 03.02.2021
На складе 700 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 05:54 03.02.2021
На складе 98 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:08 03.02.2021
На складе 420 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:22 02.02.2021
На складе 160 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:22 02.02.2021
На складе 777 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:25 03.02.2021
На складе 50 шт.
Обновлено 07:56 26.01.2021
Цена по запросу.
На складе 3396 шт.
MOQ 12 шт.
Обновлено 17:50 03.02.2021
На складе 2 шт.
Обновлено 10:06 03.02.2021
На складе 3407 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 03.02.2021
На складе 3912 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.02.2021
Упаковка Tube На складе 3427 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:39 02.02.2021
Упаковка Tube На складе 600 шт.
Обновлено 11:41 01.02.2021
На складе 587 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:50 03.02.2021
На складе 12 шт.
Обновлено 11:15 03.02.2021
На складе 15 шт.
Обновлено 11:15 03.02.2021
На складе 729 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:50 03.02.2021
На складе 100 шт.
MOQ 29 шт.
Обновлено 17:50 03.02.2021
На складе 80 шт.
Обновлено 11:15 03.02.2021
На складе 8 шт.
Обновлено 11:30 03.02.2021
На складе 18 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
На складе 2 шт.
MOQ 348 шт.
Обновлено 03:59 03.02.2021
Цена по запросу.
На складе 10 шт.
Обновлено 21:50 03.02.2021
Цена по запросу.
На складе 650 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 22:37 03.02.2021
Цена по запросу.
На складе 13 шт.
Обновлено 18:55 02.02.2021
Цена по запросу.
На складе 8 шт.
Обновлено 19:05 01.02.2021
Цена по запросу.
На складе 777 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:51 03.02.2021
На складе 587 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:34 03.02.2021
Упаковка Tube На складе 729 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:34 03.02.2021
Упаковка Tube На складе 100 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:42 21.01.2021
Технические характеристики Infineon IRF4905LPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-55.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-262
Текущий рейтинг:
-74.0 A
Continuous Drain Current (Ids):
-74.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF4905L
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
200 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
99.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-55.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-55.0 V
- МОП-транзистор, мощность
- P-Ch
- VDSS -55V
- RDS(ON) 20Milliohms
- ID -70A
- К-262
- PD 170W
- gFS 19S
- Transistor MOSFET P Channel 55 Volt 74 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-262
- Single P-Channel 55 V 20 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
- -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
- Преимущества: соответствие требованиям RoHS
- Низкий RDS (вкл.)
- Лучшее в отрасли качество
- Динамический рейтинг dv / dt
- Быстрое переключение
- Полностью оценен от лавин
- 175C рабочая температура
- P-канальный МОП-транзистор
- MOSFET, P CH, 55V, 74A, TO-262
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current Id:74A
- Напряжение источника стока Vds: 55 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 20 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
- Power Dissipation Pd:200W
- Transistor Case Style:TO-262
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Alternate Case Style:TO-262AB
- Current Id Max:-74A
- Package / Case:TO-262
- Power Dissipation Pd:200W
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulse Current Idm:260A
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds:55V
- Voltage Vds Typ:55V
- Максимальное напряжение Vgs: -4 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- Voltage Vgs th Max:4V
- Voltage Vgs th Min:2V