ON Semiconductor
NDS9952A
Trans Mosfet N/p-ch 30V 3.7A/2.9A 8-PIN SOIC N T/r
Цена от 21,58 ₽ до 700,20 ₽
Наличие ON Semiconductor NDS9952A на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 36281 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 38,21 ₽ до 110,56 ₽
На складе 1024 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 525 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
На складе 34100 шт.
Обновлено 10:00 06.03.2021
На складе 4950 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 1024 шт.
MOQ 152 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 36281 шт.
MOQ 796 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
На складе 1027 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
На складе 391 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1485 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
На складе 308 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1415 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 370,21 ₽ до 700,20 ₽
На складе 1415 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
В наличии до 30000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 21,58 ₽ до 141,75 ₽
На складе 1280 шт.
MOQ 205 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 1415 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
На складе 30000 шт.
Обновлено 19:17 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 10600 шт.
Обновлено 03:43 05.03.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor NDS9952A, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-30.0 V to 30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO, SOIC
Текущий рейтинг:
2.90 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность транзистора: двойной канал N / P
- Напряжение истока стока, Vds: 30V
- Continuous Drain Current, Id:3.7A
- On Resistance, Rds(on):80mohm
- Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
- Package/Case:8-SOIC
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET N & P CH 30V 3.7/-2.9A 8SOIC
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:N/P
- Напряжение, Vds Тип: 30 В
- Current, Id Cont:3.7A
- На государственном сопротивлении: 80 МОм
- Напряжение, ВГС при измерении: 10В
- Voltage, Vgs th Typ:1.7V
- Case Style:SOIC
- Тип завершения: SMD
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.