Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

STMicroelectronics
STS5PF30L

Mosfet, Power; P-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.045 Ohm; Id 5A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-16V; Gfs 1

Цена от 38,96 ₽ до 244,91 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STS5PF30L на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 4
В наличии до 27193 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 38,96 ₽ до 123,91 ₽
Китай
На складе 2082 шт.
MOQ 115 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
57,61 ₽ от 115 шт.
47,52 ₽ от 270 шт.
46,11 ₽ от 420 шт.
44,71 ₽ от 575 шт.
43,18 ₽ от 740 шт.
38,96 ₽ от 985 шт.
Япония
На складе 3 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:18 23.02.2021
63,43 ₽ от 5 шт.
Китай
На складе 3872 шт.
Обновлено 15:51 20.02.2021
123,91 ₽ от 1 шт.
Израиль
На складе 27193 шт.
Обновлено 10:08 07.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 5386 шт.
MOQ от 100 шт.
Швеция
На складе 11 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
Европейский союз
На складе 600 шт.
Обновлено 00:38 23.02.2021
Цена по запросу.
Британия
На складе 5386 шт.
Обновлено 11:42 22.02.2021
Цена по запросу.
Америка 2
В наличии до 3250 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 153,07 ₽ до 244,91 ₽
США
На складе 1504 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
244,91 ₽ от 1 шт.
183,68 ₽ от 3 шт.
153,07 ₽ от 17 шт.
США
На складе 3250 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики STMicroelectronics STS5PF30L, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-16.0 V to 16.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-5.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
5.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
35.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-30.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • P-Ch
  • VDSS 30В
  • RDS (ВКЛ) 0,045 Ом
  • ID 5A
  • SO-8
  • PD 2,5 Вт
  • VGS +/-16V
  • gFS 1
  • P-Channel 30 V 55 mOhm Surface Mount STripFET™ Power MOSFET - SOIC-8
  • P-Channel 30V - 0.07 Ohm - 5A SO-8 STripFET(TM) POWER MOSFET
  • Транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Continuous Drain Current, Id:5A
  • On Resistance, Rds(on):0.075ohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 16 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:1.6V
  • Соответствует RoHS: Да
  • МОП-транзистор, П, ЛОГИКА, SO-8
  • Transistor type:MOSFET
  • Voltage, Vds typ:30V
  • Current, Id cont:5A
  • Resistance, Rds on:0.08R
  • Voltage, Vgs Rds on measurement:10V
  • Voltage, Vgs th typ:1.6V
  • Case style:SO-8 (SOIC-8)
  • Current, Idm pulse:20A
  • Depth, external:5.2mm
  • Length / Height, external:1.75mm
  • Marking, SMD:STS5PF30L
  • Pin format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Pins, No. of:8
  • Pitch, row:6.3mm
  • Power dissipation:2.5W
  • Мощность, Pd: 2,5 Вт
  • Мощность, Ptot: 2,5 Вт
  • Temperature, current:25°C
  • Temperature, full power rating:25°C
  • Тип завершения: SMD
  • Transistor polarity:P
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • Voltage, Vds max:30V
  • Width, external:4.05mm

Документы по STMicroelectronics STS5PF30L, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 06.07.2010)