ON Semiconductor
MMDF3N04HDR2G
Power MOSFET 40V 3.4A 80 mOhm Dual N-Channel SO-8
Наличие ON Semiconductor MMDF3N04HDR2G на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 1500 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 1500 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor MMDF3N04HDR2G, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
40.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
3.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel, Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
Время нарастания:
30.0 ns (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
40.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- Power MOSFET 40V 3.4A 80 mOhm Dual N-Channel SO-8
- Trans MOSFET N/P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
- МОП-транзистор
- DUAL N
- 40 VDC
- + 20 VDC
- 2 W
- SO-8
- 3.4 ADC
- Dual N Channel Mosfet, 40V, Soic, Full Reel
- MOSFETs- Power and Small Signal 40V 3A N-Channel