Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDM606P

P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET

Цена от 62,66 ₽ до 72,93 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDM606P на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 3
В наличии до 9587 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 62,66 ₽ до 72,93 ₽
США
На складе 9587 шт.
MOQ 563 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
72,93 ₽ от 563 шт.
71,91 ₽ от 570 шт.
69,85 ₽ от 1200 шт.
68,31 ₽ от 2900 шт.
65,74 ₽ от 5700 шт.
64,20 ₽ от 29000 шт.
62,66 ₽ от 57000 шт.
США
На складе 9587 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
69,14 ₽ от 1 шт.
67,75 ₽ от 25 шт.
66,38 ₽ от 100 шт.
64,99 ₽ от 500 шт.
63,61 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 81 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDM606P, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-8.00 V to 8.00 V
Тип корпуса / Кейс:
MLP
Текущий рейтинг:
-6.80 A
Gate Charge:
20.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
6.80 A
Входная емкость:
2.20 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Tape
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.92 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
26.0 mΩ
Время нарастания:
46.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-20.0 V
  • P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET
  • MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
  • Контакт для деталей

Документы по ON Semiconductor FDM606P, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 14.12.2004)
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)