ON Semiconductor
FDS8333C
Trans Mosfet N/p-ch 30V 4.1A/3.4A 8-PIN SOIC N T/r
Цена от 28,10 ₽ до 86,64 ₽
Наличие ON Semiconductor FDS8333C на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 3400 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 28,10 ₽ до 41,64 ₽
На складе 3400 шт.
MOQ 155 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
В наличии до 1090 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 57,76 ₽ до 86,64 ₽
На складе 112 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 1090 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDS8333C, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-30.0 V to 30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
-3.40 A
Gate Charge:
4.10 nC
Continuous Drain Current (Ids):
4.10 A
Входная емкость:
185 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
13.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
- MOSFET, DUAL, NP, SMD, SO-8
- Полярность транзистора: канал N и P
- Continuous Drain Current Id:4.1A
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on):80mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,7 В
- Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
- Тип корпуса транзистора: SOIC
- Количество контактов: 8
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Id Max:4.1A
- Упаковка / ящик: SOIC
- Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
- Тип завершения: SMD
- Напряжение Vds Typ: 30 В
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
- These N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Документы по ON Semiconductor FDS8333C, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FDS8333C, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг -2.00 A.
Gate Charge 4.10 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 A, 2.50 A.
Входная емкость 185 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 960 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 95.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.