Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDC6333C

Transistor MOSFET N/P-Channel 30 Volt 2.5A/2A 6-Pin SuperSOT

Цена от 13,51 ₽ до 424,75 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDC6333C на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 5
В наличии до 5455 шт.
MOQ от 3 шт.
Цена от 15,37 ₽ до 424,75 ₽
Польша
На складе 325 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
32,93 ₽ от 3 шт.
22,92 ₽ от 25 шт.
18,39 ₽ от 100 шт.
16,61 ₽ от 500 шт.
15,37 ₽ от 3000 шт.
Британия
На складе 1860 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
68,03 ₽ от 5 шт.
64,62 ₽ от 50 шт.
54,10 ₽ от 150 шт.
51,02 ₽ от 750 шт.
47,62 ₽ от 1500 шт.
Британия
На складе 5455 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
64,62 ₽ от 50 шт.
54,10 ₽ от 150 шт.
51,02 ₽ от 750 шт.
47,62 ₽ от 1500 шт.
Британия
На складе 1712 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:21 02.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
424,75 ₽ от 5 шт.
273,94 ₽ от 10 шт.
159,11 ₽ от 100 шт.
156,34 ₽ от 500 шт.
Европейский союз
На складе 600 шт.
Обновлено 17:17 27.02.2021
Цена по запросу.
Америка 9
В наличии до 13785 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,51 ₽ до 63,84 ₽
США
На складе 1588 шт.
Обновлено 18:28 01.03.2021
21,74 ₽ от 1 шт.
17,29 ₽ от 334 шт.
16,31 ₽ от 667 шт.
15,15 ₽ от 1001 шт.
13,51 ₽ от 1334 шт.
США
На складе 80 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:45 01.03.2021
Упаковка Cut Tape
58,62 ₽ от 1 шт.
45,24 ₽ от 10 шт.
43,22 ₽ от 25 шт.
27,13 ₽ от 100 шт.
25,12 ₽ от 500 шт.
17,08 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 9152 шт.
Обновлено 10:12 02.03.2021
21,95 ₽ от 1 шт.
21,51 ₽ от 25 шт.
21,07 ₽ от 100 шт.
20,64 ₽ от 500 шт.
20,19 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 13785 шт.
Обновлено 11:20 01.03.2021
63,84 ₽ от 1 шт.
53,20 ₽ от 10 шт.
42,56 ₽ от 44 шт.
29,79 ₽ от 163 шт.
26,61 ₽ от 773 шт.
23,41 ₽ от 3460 шт.
22,35 ₽ от 7372 шт.
США
На складе 34 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:09 01.03.2021
Упаковка Cut Tape
46,88 ₽ от 1 шт.
41,43 ₽ от 10 шт.
22,52 ₽ от 25 шт.
США
На складе 1712 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
55,90 ₽ от 1 шт.
45,32 ₽ от 10 шт.
26,34 ₽ от 100 шт.
24,39 ₽ от 500 шт.
США
На складе 1712 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 02.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
55,90 ₽ от 1 шт.
45,32 ₽ от 10 шт.
26,34 ₽ от 100 шт.
24,39 ₽ от 500 шт.
США
На складе 690 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 14 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
Азия 5
В наличии до 107557 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20,52 ₽ до 69,83 ₽
Китай
На складе 4711 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:39 27.02.2021
33,86 ₽ от 1 шт.
24,90 ₽ от 10 шт.
23,25 ₽ от 30 шт.
21,62 ₽ от 100 шт.
20,88 ₽ от 500 шт.
20,52 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 1712 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 01.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
69,83 ₽ от 1 шт.
56,64 ₽ от 10 шт.
51,96 ₽ от 25 шт.
32,67 ₽ от 100 шт.
30,18 ₽ от 500 шт.
20,54 ₽ от 1000 шт.
Китай
На складе 34 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 01.03.2021
50,63 ₽ от 1 шт.
46,21 ₽ от 10 шт.
24,90 ₽ от 25 шт.
Китай
На складе 107557 шт.
MOQ 160 шт.
Обновлено 12:30 26.02.2021
40,19 ₽ от 160 шт.
33,20 ₽ от 385 шт.
32,18 ₽ от 595 шт.
31,16 ₽ от 820 шт.
30,14 ₽ от 1055 шт.
27,22 ₽ от 1405 шт.
Китай
На складе 12000 шт.
Обновлено 22:30 25.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FDC6333C, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SSOT
Текущий рейтинг:
-2.00 A
Gate Charge:
4.10 nC
Continuous Drain Current (Ids):
2.00 A, 2.50 A
Входная емкость:
185 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
960 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
95.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
13.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • Transistor MOSFET N/P-Channel 30 Volt 2.5A/2A 6-Pin SuperSOT
  • Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6
  • These N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.

Документы по ON Semiconductor FDC6333C, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 13.12.2001)
Заявление Rohs
(3 страницы, 03.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 30.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)