Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6442T-E/MNY на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 3045 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 790 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2477 шт.
Обновлено 14:32 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 408 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
На складе 70 шт.
Обновлено 17:24 27.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP6442T-E/MNY, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
9.00 kHz
Тип корпуса / Кейс:
TDFN
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
60.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
9.00 kHz
Input Offset Drift:
2.50 µV/K
Input Offset Voltage:
4.50 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
65.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
3.00 mV/μs
Supply Voltage (DC):
6.00 V (max), 1.40 V (min)
- MCP6442 Series 1.6 V 9 kHz Rail-to-Rail I/O Operational Amplifier - TDFN-8
- Op Amp Dual Nanopower Amplifier R-R I/O 6V Automotive 8-Pin TDFN EP T/R
- OP AMP, DUAL, 1.6V, 9KHZ, 8TDFN
- Op Amp Type:Unity Gain Stable
- Кол-во усилителей: 2
- Bandwidth:9kHz
- Slew Rate:3V/ms
- Supply Voltage Range:1.4V to 6V
- Amplifier Case Style:TDFN
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
Документы по Microchip MCP6442T-E/MNY, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6442T-E/MNY, сравнение характеристик.
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOT-23.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 5.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс SC-70.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 5.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).
Пропускная способность 9.00 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 60.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 9.00 kHz.
Input Offset Drift 2.50 µV/K.
Input Offset Voltage 4.50 mV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Количество выводов 14.
Power Supply Rejection Ratio 65.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 3.00 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 6.00 V (max), 1.40 V (min).