ON Semiconductor
FDD16AN08A0
N-Channel 75 V 50 A 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA
Цена от 60,73 ₽ до 1 016,53 ₽
Наличие ON Semiconductor FDD16AN08A0 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 2091 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 22500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 25000 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
На складе 492 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1471 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 38 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 824 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 989 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2146 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 1471 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 659 шт.
Обновлено 14:32 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 37500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
На складе 996 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
На складе 1471 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) Технические характеристики ON Semiconductor FDD16AN08A0, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
75.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Текущий рейтинг:
50.0 A
Gate Charge:
31.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
50.0 A
Входная емкость:
1.87 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
175 °C (max)
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
135 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
16.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
54.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
75.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
75.0 V
- N-Channel 75 V 50 A 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA
- 75V, 50A, 16 m ohm, NCH ULTRAFET TRENCH MOSFET
- Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA