Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQA170N06

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 60 V, 170 A, 5.6 mΩ, TO-3P

Цена от 264,26 ₽ до 3 596,66 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQA170N06 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
RS Components
На складе 486 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
1 029,66 ₽ от 1 шт.
Farnell
На складе 562 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:24 26.12.2020
3 596,66 ₽ от 1 шт.
2 776,99 ₽ от 10 шт.
2 218,76 ₽ от 100 шт.
2 091,57 ₽ от 250 шт.
1 971,45 ₽ от 500 шт.
1 914,92 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 608 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:38 26.12.2020
279,58 ₽ от 20 шт.
275,76 ₽ от 900 шт.
271,12 ₽ от 1800 шт.
267,32 ₽ от 2700 шт.
264,26 ₽ от 3600 шт.
Arrow Electronics
На складе 608 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:43 26.12.2020
610,93 ₽ от 1 шт.
540,27 ₽ от 10 шт.
433,66 ₽ от 100 шт.
373,53 ₽ от 500 шт.
338,08 ₽ от 1000 шт.
Digi-Key
На складе 331 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:14 26.12.2020
Упаковка Tube
715,49 ₽ от 1 шт.
601,03 ₽ от 10 шт.
567,22 ₽ от 25 шт.
486,21 ₽ от 100 шт.
432,18 ₽ от 500 шт.
370,06 ₽ от 1000 шт.
364,65 ₽ от 2500 шт.
Mouser
На складе 37 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 25.12.2020
Упаковка Tube
714,37 ₽ от 1 шт.
607,39 ₽ от 10 шт.
607,39 ₽ от 50 шт.
485,91 ₽ от 100 шт.
377,80 ₽ от 1000 шт.
377,80 ₽ от 10000 шт.
Classic Components
На складе 554 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
Component Electronics
На складе 93 шт.
Обновлено 15:20 23.12.2020
Цена по запросу.
Ampacity Systems
На складе 221 шт.
Обновлено 17:18 23.12.2020
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQA170N06, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-25.0 V to 25.0 V
Текущий рейтинг:
170 A
Continuous Drain Current (Ids):
170 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
375 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
5.60 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
  • N-Channel Power MOSFET, QFET®, 60 V, 170 A, 5.6 mΩ, TO-3P
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:170A
  • On Resistance, Rds(on):0.0056ohm
  • Package/Case:D2-PAK
  • Power Dissipation, Pd:375W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:0.0056ohm
  • Соответствует RoHS: Нет
  • МОП-транзистор, N, TO-3P
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:170A
  • Напряжение источника стока Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on):5.6mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Тип корпуса транзистора: TO-3P
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:170A
  • Температура перехода Tj Макс .: 150 ° C
  • Junction Temperature Tj Min:-55°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-3P
  • Power Dissipation Pd:375W
  • Power Dissipation Pd:375W
  • Power Dissipation Ptot Max:375W
  • Pulse Current Idm:680A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:60V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Этот силовой МОП-транзистор с N-канальным улучшенным режимом производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокой устойчивости к лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, аудиоусилителей, управления двигателями постоянного тока и приложений с регулируемой импульсной мощностью.

Документы по ON Semiconductor FQA170N06, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)