Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
HUF75645S3ST

N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 75A, 14mΩ

Цена от 109,55 ₽ до 2 034,25 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HUF75645S3ST на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 650 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 212,21 ₽ до 2 034,25 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
318,89 ₽ от 1 шт.
286,78 ₽ от 5 шт.
253,51 ₽ от 25 шт.
227,13 ₽ от 100 шт.
212,21 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 294 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:31 01.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
2 034,25 ₽ от 5 шт.
1 539,62 ₽ от 10 шт.
1 163,42 ₽ от 100 шт.
1 086,79 ₽ от 500 шт.
975,33 ₽ от 800 шт.
947,46 ₽ от 1600 шт.
940,49 ₽ от 2400 шт.
Британия
На складе 650 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Америка 15
В наличии до 18400 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 129,05 ₽ до 366,81 ₽
США
На складе 4000 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
129,05 ₽ от 800 шт.
США
На складе 383 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:00 01.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
149,12 ₽ от 1 шт.
149,12 ₽ от 10 шт.
149,12 ₽ от 100 шт.
149,12 ₽ от 500 шт.
США
На складе 18400 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
149,97 ₽ от 800 шт.
США
На складе 800 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
331,01 ₽ от 5 шт.
280,88 ₽ от 10 шт.
215,19 ₽ от 25 шт.
196,74 ₽ от 100 шт.
169,84 ₽ от 250 шт.
167,17 ₽ от 500 шт.
США
На складе 800 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:09 01.03.2021
Упаковка Cut Tape
344,26 ₽ от 1 шт.
292,12 ₽ от 10 шт.
223,80 ₽ от 25 шт.
204,61 ₽ от 100 шт.
176,64 ₽ от 250 шт.
173,86 ₽ от 500 шт.
США
На складе 383 шт.
MOQ 39 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
174,87 ₽ от 39 шт.
США
На складе 11200 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
176,07 ₽ от 800 шт.
США
На складе 1213 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:56 26.02.2021
Упаковка Tape & Reel
333,46 ₽ от 1 шт.
283,44 ₽ от 10 шт.
283,44 ₽ от 50 шт.
226,75 ₽ от 100 шт.
180,07 ₽ от 1000 шт.
180,07 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 11200 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 16:09 01.03.2021
183,11 ₽ от 800 шт.
США
На складе 383 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
364,14 ₽ от 1 шт.
310,96 ₽ от 10 шт.
250,85 ₽ от 100 шт.
223,11 ₽ от 500 шт.
США
На складе 1207 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 28.02.2021
Упаковка Cut Tape
366,81 ₽ от 1 шт.
308,23 ₽ от 10 шт.
290,91 ₽ от 25 шт.
249,35 ₽ от 100 шт.
США
На складе 696 шт.
Обновлено 11:19 27.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 97 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 6160 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2032 шт.
Обновлено 19:05 25.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 11200 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 109,55 ₽ до 518,06 ₽
Китай
На складе 900 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 12:30 26.02.2021
162,21 ₽ от 40 шт.
133,83 ₽ от 100 шт.
129,87 ₽ от 150 шт.
125,78 ₽ от 205 шт.
121,69 ₽ от 265 шт.
109,55 ₽ от 355 шт.
Китай
На складе 11200 шт.
MOQ 800 шт.
Обновлено 15:45 01.03.2021
202,50 ₽ от 800 шт.
Сингапур
На складе 294 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 01.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
440,83 ₽ от 1 шт.
374,56 ₽ от 10 шт.
299,65 ₽ от 100 шт.
283,32 ₽ от 250 шт.
266,03 ₽ от 500 шт.
236,26 ₽ от 800 шт.
Китай
На складе 6 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:39 27.02.2021
518,06 ₽ от 1 шт.
504,16 ₽ от 10 шт.
494,90 ₽ от 30 шт.
485,40 ₽ от 100 шт.
485,40 ₽ от 500 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HUF75645S3ST, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Текущий рейтинг:
75.0 A
Gate Charge:
106 nC
Continuous Drain Current (Ids):
75.0 mA
Входная емкость:
3.79 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
310 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
14.0 mΩ
Время нарастания:
117 ns (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
100 V
  • N-Channel UltraFET Power MOSFET 100V, 75A, 14mΩ
  • N-Channel 100 V 0.014 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB
  • N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA
  • Транзистор
  • N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:75mA
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 14 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs: 4 В
  • Количество контактов: 3

Документы по ON Semiconductor HUF75645S3ST, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)