Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БЮТ

NTE Electronics
NTE108

Transistor, Bipolar, Si, NPN, Amplifier, High Frequency, VCEO 15V, IC 50mA, PD 625mW

Цена от 81,09 ₽ до 498,75 ₽

Наличие NTE Electronics NTE108 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 9
В наличии до 476 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 81,09 ₽ до 149,96 ₽
США
На складе 54 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 12:16 23.02.2021
Упаковка Bulk
128,85 ₽ от 50 шт.
93,31 ₽ от 100 шт.
86,64 ₽ от 200 шт.
81,09 ₽ от 500 шт.
США
На складе 54 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 10:00 12.02.2021
134,01 ₽ от 50 шт.
97,04 ₽ от 100 шт.
90,11 ₽ от 200 шт.
84,33 ₽ от 500 шт.
США
На складе 376 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
90,14 ₽ от 8 шт.
США
На складе 376 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
93,75 ₽ от 1 шт.
США
На складе 54 шт.
MOQ 47 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
149,96 ₽ от 47 шт.
105,44 ₽ от 100 шт.
США
На складе 4 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:09 23.02.2021
Упаковка Bulk
144,40 ₽ от 1 шт.
137,47 ₽ от 50 шт.
131,69 ₽ от 100 шт.
124,76 ₽ от 250 шт.
США
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
147,87 ₽ от 1 шт.
144,40 ₽ от 10 шт.
142,09 ₽ от 25 шт.
139,78 ₽ от 50 шт.
134,01 ₽ от 100 шт.
127,07 ₽ от 500 шт.
США
На складе 476 шт.
Обновлено 20:58 23.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 8 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 376 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 129,73 ₽ до 498,75 ₽
Китай
На складе 376 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
129,73 ₽ от 1 шт.
Сингапур
На складе 5 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
498,75 ₽ от 1 шт.
417,56 ₽ от 50 шт.
299,64 ₽ от 100 шт.
247,44 ₽ от 250 шт.
205,88 ₽ от 500 шт.
Китай
На складе 100 шт.
Обновлено 21:33 21.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 64 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 106,61 ₽ до 149,02 ₽
Польша
На складе 64 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
149,02 ₽ от 1 шт.
134,12 ₽ от 3 шт.
119,22 ₽ от 10 шт.
106,61 ₽ от 25 шт.

Технические характеристики NTE Electronics NTE108, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Base]:
30.0 V
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
15.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-92
Текущий рейтинг:
50.0 mA
Mounting Style:
Through Hole
Количество выводов:
3
Полярность:
NPN, N-Channel
RoHS:
Non-Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • Transistor, Bipolar,Si,NPN,Amplifier, High Frequency,VCEO 15V,IC 50mA,PD 625mW
  • Transistor NPN Silicon 30V 0.05A TO-92 RF/if AMP
  • Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin TO-92
  • TRANSISTOR,NTE108,NPN,SI RF/IF/VIDEO AMP & OSC,TO92
  • RF TRANSISTOR, NPN 15V 600MHZ TO-92
  • Tra
  • RF TRANSISTOR, NPN 15V 600MHZ TO-92
  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V
  • Transition Frequency ft:600MHz
  • Рассеиваемая мощность Pd: 625 мВт
  • DC Collector Current:50mA
  • DC Current Gain hFE:20hFE
  • No. of Pins:3Pins

Документы по NTE Electronics NTE108, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на NTE Electronics NTE108, сравнение характеристик.