Silicon Labs
C8051F303-GM
MCU 8-bit C8051F30x 8051 CISC 8KB Flash 3.3V 11-Pin QFN EP
Цена от 254,29 ₽ до 376,68 ₽
Наличие Silicon Labs C8051F303-GM на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 2491 шт.
MOQ от 18 шт.
Цена от 254,29 ₽ до 376,68 ₽
На складе 2491 шт.
MOQ 18 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
Технические характеристики Silicon Labs C8051F303-GM, атрибуты и параметры.
Время доступа:
25.0 µs
Тип корпуса / Кейс:
QFN
Clock Speed:
25.0 MHz (max), 25.0 MHz
Основная архитектура:
8051
FLASH Memory Size:
8000 B
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
3
Number of I/O Pins:
8
Рабочая Температура:
85.0 °C (max)
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
11
RAM Memory Size:
250 B
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
3.60 V (max), 3.30 V
- MCU 8-bit C8051F30x 8051 CISC 8KB Flash 3.3V 11-Pin QFN EP
- C8051F30x Small Form Factor Microcontrollers,8kB Flash, QFN11
- 8kB/256B RAM, QFN11 OTP available (T601-GM)
Документы по Silicon Labs C8051F303-GM, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Silicon Labs C8051F303-GM, сравнение характеристик.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Количество каналов 3.
Number of I/O Pins 8.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 11.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 8.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 8.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 16.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 16.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 64.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.