Silicon Labs
C8051F011
MCU 8-bit C8051F01x 8051 CISC 32KB Flash 3V 48-Pin TQFP
Наличие Silicon Labs C8051F011 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 76 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 76 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 450 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 450 шт.
Обновлено 17:24 27.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Silicon Labs C8051F011, атрибуты и параметры.
Время доступа:
25.0 µs
Тип корпуса / Кейс:
TQFP
Clock Speed:
20.0 MHz (max), 25.0 MHz
Основная архитектура:
8051
FLASH Memory Size:
32000 B
Lead-Free Status:
Contains Lead
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
5
Number of I/O Pins:
16
Рабочая Температура:
85.0 °C (max)
Упаковка:
Bulk
Количество выводов:
48
RAM Memory Size:
250 B
RoHS:
Non-Compliant
Supply Voltage (DC):
3.60 V (max), 3.30 V
- MCU 8-bit C8051F01x 8051 CISC 32KB Flash 3V 48-Pin TQFP
- C8051F00x/1x Analog-Intensive MCUs,32kB Flash, QFP48
- IC 8051 MCU 32K FLASH 48TQFP
- Analog Intensive MCU
Документы по Silicon Labs C8051F011, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Silicon Labs C8051F011, сравнение характеристик.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Количество каналов 3.
Number of I/O Pins 8.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 11.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 3.
Number of I/O Pins 8.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 11.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 8.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 8.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс LQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 16.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 25.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 8000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.
Время доступа 25.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 20.0 MHz (max), 25.0 MHz.
Основная архитектура 8051.
FLASH Memory Size 32000 B.
Lead-Free Status Contains Lead.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 5.
Number of I/O Pins 32.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 64.
RAM Memory Size 250 B.
RoHS Non-Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 3.30 V.