ON Semiconductor
FDN335N
N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench ™, 2,5 В, 20 В, 1,7 А, 70 мОм
Цена от 7,02 ₽ до 260,01 ₽
Наличие ON Semiconductor FDN335N на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 694250 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 07:18 04.03.2021
На складе 1148 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 35480 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 620 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 113198 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 2930 шт.
Обновлено 14:32 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 57000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 33000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
На складе 33000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
На складе 41797 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 459000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 580250 шт.
MOQ 2239 шт.
Обновлено 16:12 03.03.2021
На складе 72000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 9669 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 3650 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:20 04.03.2021
На складе 76812 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 612000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 16:12 03.03.2021
На складе 18000 шт.
Обновлено 10:05 04.03.2021
На складе 112388 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.) На складе 459512 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 04.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 3650 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 2663 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1795 шт.
Обновлено 18:13 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 250 шт.
Обновлено 16:13 03.03.2021
Цена по запросу.
На складе 40 шт.
Обновлено 21:58 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 18000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
На складе 383410 шт.
MOQ 400 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 471000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 03:39 04.03.2021
На складе 39 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
На складе 9 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 112832 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 6635 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 12:14 04.03.2021
На складе 8637 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:27 02.03.2021
На складе 9905 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
На складе 735 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
На складе 2979 шт.
Обновлено 13:21 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 86 шт.
Обновлено 17:24 27.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDN335N, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-8.00 V to 8.00 V
Текущий рейтинг:
1.70 A
Gate Charge:
3.50 nC
Continuous Drain Current (Ids):
1.70 A
Входная емкость:
40.0 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
500 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
55.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
8.50 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
- N-канальный полевой МОП-транзистор PowerTrench ™, 2,5 В, 20 В, 1,7 А, 70 мОм
- N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
- This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- MOSFET, N, SOT-23
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность транзистора: N
- Voltage, Vds Typ:20V
- Current, Id Cont:1.7A
- Resistance, Rds On:0.07ohm
- Напряжение, ВГС при измерении: 4,5В
- Voltage, Vgs th Typ:0.9V
- Стиль корпуса: СОТ-23
- Тип завершения: SMD
- Current, Idm Pulse:8A
- Device Marking:FDN335N
- Внешняя глубина: 2,5 мм
- Внешняя длина / высота: 1,12 мм
- Количество контактов: 3
- Power Dissipation:0.5W
- Power, Pd:0.5W
- SMD Marking:335
- Температура, ток: 25 ° C
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Транзисторы, Кол-во: 1
- Voltage, Vds Max:20V
- Voltage, Vgs th Max:1.5V
- Ширина, внешняя: 3,05 мм
- Width, Tape:8mm
Документы по ON Semiconductor FDN335N, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FDN335N, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг 2.70 A.
Gate Charge 3.50 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.70 A.
Входная емкость 310 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Reel, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 900 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 80.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.