ON Semiconductor
NIS5112D2R2G
Hot Swap Controller 1-CH 18V 8-Pin SOIC N T/R
Цена от 141,72 ₽ до 2 038,72 ₽
Наличие ON Semiconductor NIS5112D2R2G на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 4306 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:51 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 2991 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:43 10.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 4665 шт.
Обновлено 10:12 10.02.2021
На складе 1743 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:29 10.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 275 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:52 10.02.2021
На складе 275 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:32 10.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
На складе 51 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:59 10.02.2021
На складе 51 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 256 шт.
Обновлено 03:32 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1140 шт.
Обновлено 00:15 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 7513 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9262 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1925 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4306 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:10 10.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 275 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 2453 шт.
MOQ 24 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 14450 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1140 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor NIS5112D2R2G, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-40.0 °C (min)
Упаковка:
Cut Tape (CT)
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
9.00 V (min), 18.0 V (max)
- Hot Swap Controller 1-CH 18V 8-Pin SOIC N T/R
- NIS Series 12 V 92 uA Surface Mount Electronic Fuse - SOIC-8
- ELECTRONIC FUSE, AUTO-RETRY, SOIC-8
- IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC
Документы по ON Semiconductor NIS5112D2R2G, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor NIS5112D2R2G, сравнение характеристик.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Input Voltage (DC) 50.0 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество выходов 2.
Number of Regulated Outputs 2.
Рабочая Температура -25.0 °C to 85.0 °C.
Выходной ток 500 mA.
Выходное напряжение 55.0 V, 5.00 V (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 50.0 V (max), 48.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Halogen Free Status Halogen Free.
Input Voltage (DC) 12.0 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 9.00 V (min), 18.0 V (max).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Halogen Free Status Halogen Free.
Input Voltage (DC) 5.50 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
RoHS Compliant.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Input Voltage (DC) 45.0 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 20.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 3.80 Ω.
RoHS Compliant.
Size-Length 13.0 mm (max).
Supply Voltage (DC) 32.0 V (max).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 8.
Выходной ток 1.05 A.
Выходное напряжение 40.0 V.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 20.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 1.00 Ω.
RoHS Compliant.
Size-Length 16.0 mm (max).
Supply Current 10.0 mA.
Supply Voltage (DC) 4.75 V (min), 5.25 V (max).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Input Voltage (DC) 5.50 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 8.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 20.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 1.50 Ω.
RoHS Compliant.
Size-Length 16.0 mm (max).
Supply Current 2.05 A.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Input Voltage (DC) 5.50 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество выходов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max).
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOT-23.
Input Voltage (DC) 5.50 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество выходов 3.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Выходное напряжение 6.00 V (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 5.
Рассеяние мощности 285 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 500 mA.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Ток покоя 1.00 µA.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Input Voltage (DC) 5.50 V.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.