Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6291-E/P на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 200 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube На складе 577 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:10 23.02.2021
Упаковка Tube На складе 720 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 12:16 23.02.2021
Упаковка Bulk На складе 720 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 10:00 12.02.2021
На складе 1054 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 1054 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 720 шт.
MOQ 120 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 43 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 67 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 100 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 1054 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 43409 шт.
Обновлено 10:08 07.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP6291-E/P, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
65.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
1.70 µV/K
Input Offset Voltage:
3.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
70.0 dB (min)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
7.00 V/μs
Supply Current:
1.30 mA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.40 V (min)
- Ic, operational Amplifier, single, cmos, dip, 8Pin, plastic Rohs Compliant: Yes
- IC,Op Amp,Operating Voltage, 2.4 - 6.0V,Outputs,1,GBWP,10000kHz,PDIP-8
- 5.5V 10MHZ IQ/BW selectable Single Low Power OP Amp
- ОУ Одиночный GP R-R I / O 5.5V Автомобильная 8-контактная трубка PDIP
Документы по Microchip MCP6291-E/P, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6291-E/P, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Bulk.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 120 dB.
Усиление 135 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 6.25 pF.
Input Impedance 3.50 GΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 4.00 V/μs.
Supply Current 4.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 74.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 3.50 µV/K.
Input Offset Voltage 250 µV (max).
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 74.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.35 mA (max).
Supply Voltage (DC) 2.50 V (min), 5.50 V (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 90.0 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.00 V/μs.
Supply Current 1.20 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 92.0 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 6.00 pF.
Input Impedance 1.00 TΩ.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec Yes.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 50.0 V/μs.
Supply Current 6.50 mA.