Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Наличие Microchip MCP6291-E/SN на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 1140 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 01:29 19.02.2021
На складе 1000 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 95 шт.
MOQ 11 шт.
Обновлено 17:51 18.02.2021
На складе 95 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:15 18.02.2021
На складе 324 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:27 17.02.2021
Упаковка Tube На складе 346 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:19 18.02.2021
Упаковка Tube На складе 21300 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:35 17.02.2021
Упаковка Tube На складе 450 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Microchip MCP6291-E/SN, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Коэффициент подавления синфазного сигнала:
65.0 dB (min)
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
1.70 µV/K
Input Offset Voltage:
3.00 mV (max)
Lead-Free Status:
Contains Lead
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
125 °C (max)
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
Power Supply Rejection Ratio:
70.0 dB (min)
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
7.00 V/μs
Supply Current:
1.30 mA (max)
Supply Voltage (DC):
5.50 V (max), 2.40 V (min)
- MCP6291 Series 6 V 10 MHz Rail-to-Rail I/O Operational Amplifier - SOIC-8
- Ic,operational Amplifier,single,cmos,sop,8Pin,plastic Rohs Compliant: Yes
- IC,Op Amp,Operating Voltage, 2.4 - 6.0V,Outputs,1,GBWP,10000kHz,SOIC-8
- ОУ Одиночный GP R-R I / O 5.5V Автомобильная 8-контактная лампа SOIC N
- 2.4-5.5V 10MHZ IQ/BW selectable Single Low Power OP Amp
- OP AMP, 10MHZ, SINGLE, SMD, SOIC8
- Тип операционного усилителя: общего назначения
- Кол-во усилителей: 1
- Полоса пропускания: 10 МГц
- Скорость нарастания: 7 В / мкс
- Диапазон напряжения питания: от 2,4 В до 5,5 В
- Стиль корпуса усилителя: SOIC
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Номер в базе: 6291
- Полоса пропускания: 10 МГц
- Тип ввода / вывода: ввод / вывод Rail-Rail
- Упаковка / ящик: SOIC
- Скорость нарастания: 7 В / мкс
- Максимальное напряжение питания: 6 В
- Напряжение питания Мин .: 2,4 В
- Тип завершения: SMD
Документы по Microchip MCP6291-E/SN, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Microchip MCP6291-E/SN, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC, SOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 130 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Impedance 1.00 GΩ.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec No.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 2.50 V/μs.
Supply Current 2.70 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс MSOP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 65.0 dB (min).
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.70 µV/K.
Input Offset Voltage 3.00 mV (max).
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
Power Supply Rejection Ratio 70.0 dB (min).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 1.30 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.40 V (min).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Коэффициент подавления синфазного сигнала 92.0 dB.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входная емкость 6.00 pF.
Input Impedance 1.00 TΩ.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mil-Spec Yes.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 50.0 V/μs.
Supply Current 6.50 mA.
Supply Voltage (DC) 12.5 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входной ток смещения 1.50 µA (max).
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 13.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 30.0 V.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Входной ток смещения 1.50 µA (max).
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 13.0 V/μs.
Supply Voltage (DC) 30.0 V.