Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
TLC080IDR
Single Wide-Bandwidth High-Output Drive Single-Supply Op Amp With Shutdown 8-SOIC -40 to 125
Цена от 69,29 ₽ до 210,38 ₽
Наличие Texas Instruments TLC080IDR на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 36 шт.
Обновлено 18:18 19.02.2021
На складе 48440 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:06 18.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 02:48 19.02.2021
На складе 1673 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:37 19.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 595 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 17:45 19.02.2021
На складе 595 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:19 19.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 25305 шт.
Обновлено 09:57 19.02.2021
На складе 2561 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Texas Instruments TLC080IDR, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
10.0 MHz
Тип корпуса / Кейс:
PDIP, MSOP, SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
10.0 MHz
Input Offset Drift:
1.20 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
1
Количество контуров:
1
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
16.0 V/μs
Supply Current:
2.50 mA (max)
- Single Wide-Bandwidth High-Output Drive Single-Supply Op Amp With Shutdown 8-SOIC -40 to 125
- Op Amp Single Wideband Amplifier ±8V/16V 8-Pin SOIC T/R
- Операционный усилитель (ОУ) IC
- Кол-во усилителей: 1
- Полоса пропускания -3 дБ: 10 МГц
- Slew Rate:16V/µs
- Мин. Напряжение питания: 4,5 В
- Максимальное напряжение питания: 16 В
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C
- Bias Current:50pA
- Соответствует RoHS: Да
- The first members of TI's new Bi Mos general-purpose operational amplifier family are the TLC08x. The BiMOSfamily concept is simple: provide an upgrade path for BiFET users who are moving away from dual-supply to single-supply systems and demand higher ac and dc performance. With performance rated from 4.5 V to 16V across commercial (0oC to 70oC) and an extended industrial temperature range (-40oC to 125oC), Bi Mos suits a wide range of audio, automotive, industrial, and instrumentation applications. Familiar features like offset nulling pins, and new features like MSOP PowerPAD(TM) packages and shutdown modes, enable higher levels of performance in a variety of applications. Developed in TI's patented LBC3 Bi CMOS process, the new Bi Mos amplifiers combine a very high input impedance, low-noise CMOS front end with a high-drive bipolar output stage, thus providing the optimum performance features of both. AC performance improvements over the TL08x BiFET predecessors include abandwidth of 10 MHz (an increase of 300%) and voltage noise of 8.5 nV/Delta Hz (an improvement of 60%). DC improvements include an ensured VICR that includes ground, a factor of 4 reduction in input offset voltage down to 1.5 mV (maximum) in the standard grade, and a power supply rejection improvement of greater than 40 dB to 130 dB. Added to this list of impressive features is the ability to drive +-50-mA loads comfortably from anultrasmall-footprint MSOP Power Pad package, which positions the TLC08x as the ideal high-performance general-purpose operational amplifier family.
Документы по Texas Instruments TLC080IDR, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments TLC080IDR, сравнение характеристик.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс HTSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 20.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC, HTSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 20.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс PDIP, MSOP, SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 1.20 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 16.0 V/μs.
Supply Current 2.50 mA (max).