Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
OPA277UG4
Dual, 36-V, 10µV ofsset , 0.1µV/˚C drift , Bipolar, Operational Amplifier 8-SOIC
Цена от 479,86 ₽ до 3 240,43 ₽
Наличие Texas Instruments OPA277UG4 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 18 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube На складе 231 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
На складе 38 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
На складе 38 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
На складе 2495 шт.
Обновлено 15:51 20.02.2021
Технические характеристики Texas Instruments OPA277UG4, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
100 nV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
1
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
8
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
800 mV/μs
Supply Voltage (DC):
15.0 V
- Dual, 36-V, 10µV ofsset , 0.1µV/˚C drift , Bipolar, Operational Amplifier 8-SOIC
- Op Amp Single Low Offset Voltage Amplifier ±18V 8-Pin SOIC Tube
- Op Amp, High Precision, Soic8, 277
- No. Of Amplifiers:1 Amplifier
- Bandwidth:1Mhz
- Скорость нарастания: 0,8 В / мкс
- Supply Voltage Range:± 2V To ± 18V, ± 5V To ± 15V
- Amplifier Case Style:soic
- Количество контактов: 8 контактов
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Rohs Compliant: Yes
Документы по Texas Instruments OPA277UG4, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments OPA277UG4, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Current 825 µA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Количество контуров 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 14.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Current 825 µA (max).
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 85.0 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 36.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 15.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Supply Current 825 µA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -55.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -55.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -55.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -55.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 100 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 14.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 800 mV/μs.