Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDD5680

N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3

Цена от 51,15 ₽ до 232,29 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDD5680 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 5
В наличии до 2500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 51,15 ₽ до 232,29 ₽
США
На складе 1379 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel
135,13 ₽ от 1 шт.
115,03 ₽ от 10 шт.
115,03 ₽ от 50 шт.
86,55 ₽ от 100 шт.
60,53 ₽ от 1000 шт.
51,15 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1924 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
232,29 ₽ от 1 шт.
185,83 ₽ от 4 шт.
116,14 ₽ от 14 шт.
69,69 ₽ от 61 шт.
60,40 ₽ от 334 шт.
58,07 ₽ от 1539 шт.
США
На складе 443 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
149,65 ₽ от 1 шт.
122,51 ₽ от 10 шт.
120,30 ₽ от 25 шт.
95,32 ₽ от 100 шт.
80,80 ₽ от 500 шт.
65,82 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 2500 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
77,56 ₽ от 1 шт.
76,02 ₽ от 25 шт.
74,46 ₽ от 100 шт.
72,92 ₽ от 500 шт.
71,36 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1852 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 25364 шт.
MOQ от 80 шт.
Цена от 57,79 ₽ до 85,53 ₽
Китай
На складе 25364 шт.
MOQ 80 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
85,53 ₽ от 80 шт.
70,51 ₽ от 185 шт.
68,45 ₽ от 285 шт.
66,27 ₽ от 390 шт.
64,21 ₽ от 500 шт.
57,79 ₽ от 670 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDD5680, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
60.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-252
Текущий рейтинг:
38.0 A
Gate Charge:
33.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A
Входная емкость:
1.83 nF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
60.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
17.0 mΩ
Время нарастания:
9.00 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
60.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
60.0 V
  • N-Channel 60 V 21 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
  • N-Channel PowerTrench® MOSFET, 38A, 21mΩ
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Постоянный ток утечки, Id: 8,5 А
  • Напряжение истока стока, Vds: 60V
  • On Resistance, Rds(on):0.017ohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2.4V
  • Power Dissipation, Pd:2.8W
  • Соответствует RoHS: Да
  • This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Документы по ON Semiconductor FDD5680, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(5 страниц, 17.10.2017)
Заявление Rohs
(3 страницы, 03.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 30.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)