Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FDS6984AS

MOSFET Transistor, Dual N Channel + Schottky, 8.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V

Цена от 32,76 ₽ до 121,96 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FDS6984AS на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 7
В наличии до 33425 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 32,76 ₽ до 95,17 ₽
США
На складе 1380 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:31 01.03.2021
Упаковка Tape & Reel
95,17 ₽ от 1 шт.
78,79 ₽ от 10 шт.
78,79 ₽ от 50 шт.
55,22 ₽ от 100 шт.
40,72 ₽ от 1000 шт.
32,76 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1495 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:40 02.03.2021
49,44 ₽ от 16 шт.
49,28 ₽ от 25 шт.
43,19 ₽ от 100 шт.
43,02 ₽ от 250 шт.
42,79 ₽ от 500 шт.
42,57 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 33425 шт.
MOQ 794 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
51,48 ₽ от 794 шт.
50,76 ₽ от 800 шт.
49,31 ₽ от 1600 шт.
48,22 ₽ от 4000 шт.
46,40 ₽ от 8000 шт.
45,32 ₽ от 40000 шт.
44,23 ₽ от 80000 шт.
США
На складе 1495 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:25 02.03.2021
Упаковка Cut Tape
54,53 ₽ от 1 шт.
51,42 ₽ от 10 шт.
51,25 ₽ от 25 шт.
44,92 ₽ от 100 шт.
44,74 ₽ от 250 шт.
44,51 ₽ от 500 шт.
44,28 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3817 шт.
Обновлено 10:12 02.03.2021
48,80 ₽ от 1 шт.
47,82 ₽ от 25 шт.
46,85 ₽ от 100 шт.
45,88 ₽ от 500 шт.
44,90 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 621 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 3850 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
Европа 2
В наличии до 581 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 99,93 ₽ до 121,96 ₽
Британия
На складе 581 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
99,93 ₽ от 50 шт.
Британия
На складе 581 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
121,96 ₽ от 5 шт.
99,93 ₽ от 50 шт.
Азия 1
В наличии до 1495 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 48,99 ₽ до 63,18 ₽
Китай
На складе 1495 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:48 02.03.2021
63,18 ₽ от 1 шт.
56,91 ₽ от 10 шт.
56,73 ₽ от 25 шт.
50,70 ₽ от 100 шт.
50,19 ₽ от 250 шт.
49,59 ₽ от 500 шт.
48,99 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FDS6984AS, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO
Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A, 5.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
Dual N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
20.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • MOSFET Transistor, Dual N Channel + Schottky, 8.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V
  • Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R
  • Dual N-Channel 30 V 32 mOhm 2 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
  • МОП-транзистор, ДВОЙНОЙ, N, SMD, SO-8
  • Тип транзистора: PowerTrench
  • Полярность транзистора: N
  • Напряжение, Vds Тип: 30 В
  • Current, Id Cont:5.5A
  • Resistance, Rds On:31mohm
  • Напряжение, ВГС при измерении: 10В
  • Voltage, Vgs th Typ:1.8V
  • Case Style:SOIC
  • Тип завершения: SMD
  • Current, Id Cont N Channel 2:5.5A
  • Current, Id Cont N Channel 3:8.5A
  • Ток, Idm Импульсный N канал 2: 20A
  • Ток, Idm Импульсный N канал 3: 30A
  • Количество контактов: 8
  • Рассеиваемая мощность: 2 Вт
  • Resistance, Rds on N Channel 1:0.02ohm
  • Resistance, Rds on N Channel 2:0.031ohm
  • Транзисторы, Кол-во: 1
  • Напряжение, Vds Max: 30 В
  • The FDS6984AS is designed to replace two single SO-8 MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies that provide various peripheral voltages for notebook computers and other battery powered electronic devices. FDS6984AS contains two unique 30V, N-channel, logic level, PowerTrench MOSFETs designed to maximize power conversion efficiency.The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the lowside switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes a patented combination of a MOSFET monolithically integrated with a Schottky diode.

Документы по ON Semiconductor FDS6984AS, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)