Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SI4463DY-T1-E3

Trans Mosfet P-ch 20V 9A 8-PIN SOIC N T/r

Цена от 79,85 ₽ до 255,52 ₽

Наличие Vishay SI4463DY-T1-E3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 11680 шт.
MOQ от 100 шт.
Китай
На складе 11680 шт.
Обновлено 03:43 05.03.2021
Цена по запросу.
Америка 4
В наличии до 2034 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 79,85 ₽ до 255,52 ₽
США
На складе 1244 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
255,52 ₽ от 1 шт.
191,64 ₽ от 3 шт.
159,70 ₽ от 16 шт.
95,82 ₽ от 56 шт.
89,43 ₽ от 183 шт.
83,04 ₽ от 391 шт.
79,85 ₽ от 840 шт.
США
На складе 1501 шт.
Обновлено 15:32 05.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2034 шт.
Обновлено 09:16 05.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 531 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay SI4463DY-T1-E3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO
Continuous Drain Current (Ids):
-9.00 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
3.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
20.0 mΩ
RoHS:
Compliant
  • Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8-Pin SOIC N T/R
  • P-Channel MOSFETs 20V 10A 2.5W
  • МОП-транзистор
  • Напряжение истока стока, Vds: -20V
  • Continuous Drain Current, Id:-9A
  • On-Resistance, Rds(on):0.02ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V
  • Drain-Source Breakdown Voltage:-20V
  • Совместимость с ведущим процессом: Да Соответствие RoHS: Да

Документы по Vishay SI4463DY-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Vishay SI4463DY-T1-E3, сравнение характеристик.