Vishay Siliconix
SIB417DK-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 8V 5.6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
Технические характеристики Vishay Siliconix SIB417DK-T1-GE3, атрибуты и параметры.
Continuous Drain Current (Ids):
-9.00 A
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
2.40 W
Время нарастания:
31.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-8.00 V
- Trans MOSFET P-CH 8V 5.6A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
- Транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Continuous Drain Current, Id:-9000mA
- Drain Source Voltage, Vds:-8V
- On Resistance, Rds(on):0.222ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V
- Power Dissipation, Pd:2.4W
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET, P, PPAK SC-75
- Transistor Polarity:P Channel
- Идентификатор постоянного тока утечки: 9A
- Drain Source Voltage Vds:-8V
- On Resistance Rds(on):52mohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:5V
- Пороговое напряжение Vgs Typ: -1 В
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Transistor Case Style:SC-75
- Количество контактов: 6
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:-9A
- Температура перехода Tj Макс .: 150 ° C
- Package / Case:SC-75
- Power Dissipation Pd:13W
- Power Dissipation Pd:2.4W
- Rise Time:31ns
- Тип завершения: SMD
- Voltage Vds Typ:8V
- Voltage Vgs Max:-1V
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 4,5 В
- Voltage Vgs th Max:1V
- Voltage Vgs th Min:0.35V
