Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Diodes Inc.
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8 Series Dual N-Channel 30 V 0.02 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8

Цена от 48,39 ₽ до 317,61 ₽
Datasheet

Наличие Diodes Inc. ZXMN3A04DN8TA на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 5
В наличии до 7363 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 70,46 ₽ до 204,21 ₽
США
На складе 30 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
77,63 ₽ от 1 шт.
76,43 ₽ от 8 шт.
75,24 ₽ от 16 шт.
74,04 ₽ от 32 шт.
72,85 ₽ от 63 шт.
71,65 ₽ от 125 шт.
70,46 ₽ от 250 шт.
США
На складе 790 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:56 26.02.2021
Упаковка Tape & Reel
187,38 ₽ от 1 шт.
158,21 ₽ от 10 шт.
158,21 ₽ от 50 шт.
121,18 ₽ от 100 шт.
89,76 ₽ от 1000 шт.
89,76 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 7000 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 14:19 27.02.2021
Упаковка Tape & Reel
114,05 ₽ от 500 шт.
96,77 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 7363 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:19 27.02.2021
Упаковка Cut Tape
204,21 ₽ от 1 шт.
169,32 ₽ от 10 шт.
163,82 ₽ от 25 шт.
134,78 ₽ от 100 шт.
США
На складе 4667 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 4365 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 48,39 ₽ до 317,61 ₽
Китай
На складе 4365 шт.
MOQ 95 шт.
Обновлено 12:30 26.02.2021
71,62 ₽ от 95 шт.
59,10 ₽ от 220 шт.
57,29 ₽ от 340 шт.
55,49 ₽ от 470 шт.
53,68 ₽ от 605 шт.
48,39 ₽ от 800 шт.
Китай
На складе 46 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:39 27.02.2021
317,61 ₽ от 1 шт.
308,93 ₽ от 10 шт.
303,30 ₽ от 30 шт.
297,67 ₽ от 100 шт.
297,67 ₽ от 500 шт.
Малайзия
На складе 222 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Diodes Inc. ZXMN3A04DN8TA, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO, SOIC
Текущий рейтинг:
6.80 A
Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.15 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
30.0 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
6.10 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • ZXMN3A04DN8 Series Dual N-Channel 30 V 0.02 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8
  • Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
  • Darlington Transistors MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS

Документы по Diodes Inc. ZXMN3A04DN8TA, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 01.06.2009)
Заявление Rohs
(127 страниц, 02.05.2013)

Товары похожие на Diodes Inc. ZXMN3A04DN8TA, сравнение характеристик.

Diodes Inc. ZXMN3A04DN8TC
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 6.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape, Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.15 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.10 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.