Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

Infineon
IKW30N60TFKSA1

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Цена от 172,22 ₽ до 3 008,79 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IKW30N60TFKSA1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 570 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 648,71 ₽ до 3 008,79 ₽
Британия
На складе 78 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
648,71 ₽ от 2 шт.
Британия
На складе 570 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
648,71 ₽ от 2 шт.
Британия
На складе 173 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
3 008,79 ₽ от 1 шт.
2 287,79 ₽ от 10 шт.
1 733,17 ₽ от 100 шт.
1 622,25 ₽ от 500 шт.
1 448,93 ₽ от 1000 шт.
Америка 15
В наличии до 855 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 176,12 ₽ до 1 083,98 ₽
США
На складе 304 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
299,63 ₽ от 3 шт.
255,18 ₽ от 10 шт.
224,58 ₽ от 25 шт.
177,57 ₽ от 50 шт.
176,12 ₽ от 100 шт.
США
На складе 304 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
311,62 ₽ от 1 шт.
265,39 ₽ от 10 шт.
233,57 ₽ от 25 шт.
184,67 ₽ от 50 шт.
183,16 ₽ от 100 шт.
США
На складе 44 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
199,77 ₽ от 1 шт.
199,77 ₽ от 10 шт.
199,77 ₽ от 25 шт.
199,77 ₽ от 50 шт.
199,77 ₽ от 100 шт.
США
На складе 270 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
209,32 ₽ от 27 шт.
США
На складе 115 шт.
Обновлено 10:00 05.03.2021
232,87 ₽ от 1 шт.
228,21 ₽ от 25 шт.
223,56 ₽ от 100 шт.
218,90 ₽ от 500 шт.
214,24 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 44 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
234,26 ₽ от 30 шт.
США
На складе 408 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
441,13 ₽ от 1 шт.
349,55 ₽ от 10 шт.
349,55 ₽ от 50 шт.
320,52 ₽ от 100 шт.
236,76 ₽ от 1000 шт.
236,76 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 855 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
440,01 ₽ от 1 шт.
375,24 ₽ от 10 шт.
375,24 ₽ от 50 шт.
300,41 ₽ от 100 шт.
237,87 ₽ от 1000 шт.
237,87 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 45 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Tube
484,68 ₽ от 1 шт.
407,18 ₽ от 10 шт.
384,26 ₽ от 25 шт.
329,36 ₽ от 100 шт.
292,77 ₽ от 500 шт.
250,68 ₽ от 1000 шт.
241,20 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 480 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
421,47 ₽ от 7 шт.
365,93 ₽ от 10 шт.
337,46 ₽ от 50 шт.
293,32 ₽ от 100 шт.
США
На складе 36 шт.
MOQ 17 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
550,30 ₽ от 17 шт.
526,66 ₽ от 25 шт.
США
На складе 28 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
1 083,98 ₽ от 1 шт.
903,32 ₽ от 2 шт.
794,92 ₽ от 4 шт.
722,65 ₽ от 12 шт.
США
На складе 88 шт.
MOQ 168 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 285 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 10 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
Азия 6
В наличии до 9600 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 172,22 ₽ до 669,48 ₽
Китай
На складе 9600 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
255,19 ₽ от 30 шт.
210,50 ₽ от 65 шт.
204,20 ₽ от 95 шт.
197,78 ₽ от 130 шт.
191,36 ₽ от 170 шт.
172,22 ₽ от 225 шт.
Китай
На складе 304 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
344,27 ₽ от 1 шт.
293,20 ₽ от 10 шт.
258,04 ₽ от 25 шт.
204,02 ₽ от 50 шт.
202,36 ₽ от 100 шт.
Япония
На складе 480 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
Упаковка Tube
386,14 ₽ от 1 шт.
335,68 ₽ от 10 шт.
309,38 ₽ от 50 шт.
268,94 ₽ от 100 шт.
Сингапур
На складе 167 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
669,48 ₽ от 1 шт.
568,91 ₽ от 10 шт.
455,90 ₽ от 100 шт.
404,18 ₽ от 500 шт.
371,61 ₽ от 1000 шт.
361,08 ₽ от 2500 шт.
Япония
На складе 36 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:35 03.03.2021
592,19 ₽ от 1 шт.
496,55 ₽ от 10 шт.
439,23 ₽ от 50 шт.
395,45 ₽ от 100 шт.
394,47 ₽ от 500 шт.
389,74 ₽ от 1000 шт.
Израиль
На складе 36 шт.
Обновлено 10:34 21.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IKW30N60TFKSA1, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
187 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • IKW30N60T Series 600 V 30 A Through Hole TRENCHSTOP™ IGBT -PG - TO247-3
  • 600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
  • IGBT, N, 600V, 30A, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:60A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.05V
  • Power Dissipation Pd:187W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Operating Temperature Range:-40°C to +175°C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:25A
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:187W
  • Power Dissipation Pd:187W
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. | Summary of Features: Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
  • Low switching losses
  • Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
  • Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
  • High ruggedness, temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution | Benefits: Highest efficiency low conduction and switching losses
  • Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
  • High device reliability | Target Applications: UPS
  • Solar Inverters
  • Major Home Appliances
  • Welding
  • Air conditioning
  • Industrial Drives
  • Other hard switching applications

Документы по Infineon IKW30N60TFKSA1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(13 страниц, 29.06.2015)
Заявление о конфликтных минералах