Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
FQPF3N25

Transistor, mosfet, n-Channel, 250V V(Br)Dss, 2.3A I(D), to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes

Цена от 36,89 ₽ до 113,31 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FQPF3N25 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 204848 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 36,89 ₽ до 113,31 ₽
США
На складе 8110 шт.
MOQ 2000 шт.
Обновлено 03:53 04.02.2021
41,35 ₽ от 2000 шт.
40,78 ₽ от 4000 шт.
40,10 ₽ от 6000 шт.
39,53 ₽ от 10000 шт.
38,94 ₽ от 20000 шт.
38,22 ₽ от 100000 шт.
37,75 ₽ от 200000 шт.
37,44 ₽ от 1000000 шт.
37,17 ₽ от 2000000 шт.
36,89 ₽ от 10000000 шт.
США
На складе 204848 шт.
Обновлено 10:02 04.02.2021
44,20 ₽ от 1 шт.
43,32 ₽ от 25 шт.
42,44 ₽ от 100 шт.
41,55 ₽ от 500 шт.
40,67 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 873 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.02.2021
Упаковка Tube
113,31 ₽ от 1 шт.
96,77 ₽ от 10 шт.
96,77 ₽ от 50 шт.
73,65 ₽ от 100 шт.
50,08 ₽ от 1000 шт.
42,83 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 8000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:52 04.02.2021
46,22 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 380 шт.
Обновлено 17:26 01.02.2021
Цена по запросу.
Канада
На складе 635 шт.
Обновлено 17:44 01.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FQPF3N25, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
250 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-30.0 V to 30.0 V
Текущий рейтинг:
2.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
2.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
27.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
2.20 Ω
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
250 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
250 V
  • Transistor,mosfet,n-Channel,250V V(Br)Dss,2.3A I(D),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes
  • Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 250 V, 2.3 A, 2.2 Ω, TO-220F
  • Trans MOSFET N-CH 250V 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
  • These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for highefficiency switching DC/DC converters, switch mode power supply.

Документы по ON Semiconductor FQPF3N25, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 23.11.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 23.11.2013)