Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Diodes Inc.
ZXMHC3A01T8TA

Trans Mosfet N/p-ch 30V 3.1A/2.3A 8-PIN SM8 T/r

Цена от 78,03 ₽ до 228,14 ₽
Datasheet

Наличие Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 10
В наличии до 80000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 78,03 ₽ до 198,45 ₽
США
На складе 80000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
92,19 ₽ от 1000 шт.
88,88 ₽ от 2000 шт.
86,21 ₽ от 4000 шт.
83,69 ₽ от 6000 шт.
80,55 ₽ от 8000 шт.
79,29 ₽ от 10000 шт.
78,03 ₽ от 100000 шт.
США
На складе 1063 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel
180,42 ₽ от 1 шт.
152,92 ₽ от 10 шт.
152,92 ₽ от 50 шт.
116,61 ₽ от 100 шт.
86,36 ₽ от 1000 шт.
86,36 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 11000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 14:11 15.02.2021
Упаковка Tape & Reel
93,18 ₽ от 1000 шт.
88,52 ₽ от 2000 шт.
США
На складе 822 шт.
Обновлено 11:18 15.02.2021
198,45 ₽ от 1 шт.
182,57 ₽ от 4 шт.
158,76 ₽ от 17 шт.
119,07 ₽ от 55 шт.
107,16 ₽ от 145 шт.
99,23 ₽ от 321 шт.
91,29 ₽ от 693 шт.
США
На складе 698 шт.
MOQ 9 шт.
Обновлено 17:52 15.02.2021
176,11 ₽ от 9 шт.
149,04 ₽ от 10 шт.
147,59 ₽ от 25 шт.
112,63 ₽ от 100 шт.
111,51 ₽ от 250 шт.
95,01 ₽ от 500 шт.
США
На складе 698 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:17 15.02.2021
Упаковка Cut Tape
183,15 ₽ от 1 шт.
155,00 ₽ от 10 шт.
153,49 ₽ от 25 шт.
117,13 ₽ от 100 шт.
115,97 ₽ от 250 шт.
98,81 ₽ от 500 шт.
США
На складе 11770 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:11 15.02.2021
Упаковка Cut Tape
195,82 ₽ от 1 шт.
163,04 ₽ от 10 шт.
157,76 ₽ от 25 шт.
129,79 ₽ от 100 шт.
109,82 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 22:21 15.02.2021
128,14 ₽ от 1000 шт.
120,13 ₽ от 2000 шт.
США
На складе 1540 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2032 шт.
Обновлено 18:56 12.02.2021
Цена по запросу.
Европа 3
В наличии до 1000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 90,45 ₽ до 228,14 ₽
Европейский союз
На складе 1000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
159,24 ₽ от 1000 шт.
141,40 ₽ от 2000 шт.
132,49 ₽ от 4000 шт.
127,39 ₽ от 6000 шт.
105,73 ₽ от 8000 шт.
97,45 ₽ от 10000 шт.
90,45 ₽ от 100000 шт.
Британия
На складе 690 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
228,14 ₽ от 5 шт.
203,96 ₽ от 15 шт.
180,89 ₽ от 50 шт.
156,71 ₽ от 250 шт.
134,27 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 690 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
203,96 ₽ от 15 шт.
180,89 ₽ от 50 шт.
156,71 ₽ от 250 шт.
134,27 ₽ от 500 шт.
Азия 2
В наличии до 968 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 108,32 ₽ до 202,04 ₽
Китай
На складе 698 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
202,04 ₽ от 1 шт.
170,99 ₽ от 10 шт.
163,13 ₽ от 25 шт.
127,76 ₽ от 100 шт.
125,34 ₽ от 250 шт.
108,32 ₽ от 500 шт.
Китай
На складе 968 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:33 15.02.2021
118,28 ₽ от 1 шт.
115,09 ₽ от 10 шт.
115,09 ₽ от 30 шт.
115,09 ₽ от 100 шт.
115,09 ₽ от 500 шт.
115,09 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SM
Текущий рейтинг:
3.10 A
Gate Charge:
5.20 nC
Continuous Drain Current (Ids):
2.30 A
Входная емкость:
204 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.30 W (max)
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
2.30 ns (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.1A/2.3A 8-Pin SM8 T/R
  • MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30V, SOIC8
  • 30V Enhancement MOSFET H-Bridge SM8
  • MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
  • MOSFET BVDSS: 25V~30V SM-8 T&R 1K
  • MOSFETs 30/30V 3.1/2.3A N & P Channel
  • MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30V, SO8
  • Полярность транзистора: канал N и P
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 3,1 А
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on):0.12ohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Power Dissipation Pd:1.3W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Тип корпуса транзистора: SOIC
  • Количество контактов: 8
  • Continuous Drain Current Id, N Channel:3.1A
  • Continuous Drain Current Id, P Channel:-2.3A
  • Напряжение истока стока Vds, канал N: 30 В
  • Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V
  • Конфигурация модуля: полумост
  • On Resistance Rds(on), N Channel:0.12ohm
  • On Resistance Rds(on), P Channel:0.21ohm

Документы по Diodes Inc. ZXMHC3A01T8TA, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 01.06.2009)
Заявление Rohs
(127 страниц, 02.05.2013)